西安格美金属材料有限公司陈占洋获国家专利权
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龙图腾网获悉西安格美金属材料有限公司申请的专利一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121137533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511709808.1，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法是由陈占洋;徐信森;张飞设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法，属于靶材制备技术领域，包括以下步骤：将钨粉压制成坯料；将坯料放置于镂空的托板上，在持续流动供应的氢气气氛下将坯料烧结为钨多孔件，坯料位于托板沿氢气供应方向的上游一侧，部分覆盖镂空穿孔，上游氢气自未被覆盖的穿孔穿透托板流通；对钨多孔件进行有包套热等静压处理得到钨靶材，包套设有与被处理工件接触的接触层，接触层材质含钽。相比较现有技术，本申请能在烧结过程中采用氢气气氛烧钨靶材，降低钨靶材中的氧杂质含量，提高钨靶材纯度。
本发明授权一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种细晶高密度高纯钨靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将钨粉放置于冷等静压处理的模具中，冷等静压处理所述钨粉，将钨粉压制成坯料； 将所述坯料放置于烧结设备中的镂空托板上，在持续流动供应的氢气气氛下，在第一预设温度下烧结所述坯料第一预设时长，在第二预设温度下烧结所述坯料第二预设时长，从而将所述坯料烧结为钨多孔件，所述第一预设温度为1000-1300℃，第一预设时长为3-5h，所述第二预设温度为1300-1500℃，所述第二预设时长为3-5h，沿氢气供应方向，所述坯料位于所述托板的上游一侧，覆盖其部分镂空穿孔，上游氢气自所述托板的其余镂空穿孔穿透所述托板； 对所述钨多孔件进行有包套热等静压处理得到钨靶材，热等静压温度为1700-2000℃，热等静压压力为100-150MPa，热等静压时长为3-5h，所述包套设有与被处理工件接触的接触层，所述接触层材质含钽。
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