国科大杭州高等研究院郑婉华获国家专利权
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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利雪崩倍增光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126893B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511678221.9，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩倍增光电探测器及制备方法是由郑婉华;李明明;王天财;杜晓宇;宋春旭设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩倍增光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光电探测技术领域，提供一种雪崩倍增光电探测器及制备方法，探测器包括超表面结构、第二掺杂层及依次层叠布置的第一掺杂层、倍增层、电荷层、吸收层和介质超表面层，超表面结构设置于介质超表面层，或设置于介质超表面层和吸收层靠近介质超表面层的一侧表面，超表面结构沿介质超表面层厚度方向贯通；第二掺杂层形成于吸收层中，并位于吸收层靠近超表面结构的一侧。本发明提供的雪崩倍增光电探测器，通过在吸收层的入射侧集成超表面结构，实现对入射光场的相位、振幅及偏振的调控，以在不增加吸收层厚度的前提下，提高探测器的吸收率，进而提升探测器增益的同时，有效扩展器件带宽、降低时间抖动并抑制噪声。
本发明授权雪崩倍增光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩倍增光电探测器，其特征在于，包括： 依次层叠布置的第一掺杂层、倍增层、电荷层、吸收层和介质超表面层； 超表面结构，位于所述吸收层的入射侧，所述超表面结构设置于所述介质超表面层，或者，所述超表面结构设置于所述介质超表面层以及所述吸收层靠近所述介质超表面层的一侧表面，所述超表面结构沿所述介质超表面层厚度方向贯通； 第二掺杂层，所述第二掺杂层形成于所述吸收层中，且位于所述吸收层靠近所述超表面结构的一侧；所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的掺杂类型不同； 其中，所述第二掺杂层包括： 第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述超表面结构和所述电荷层之间，所述第一掺杂区和所述超表面结构之间具有第一预设距离； 第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述超表面结构和所述第一掺杂区之间，所述第二掺杂区连接于所述第一掺杂区的外边缘，且所述第二掺杂区位于所述超表面结构投影的外侧。
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