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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121126770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676037.0，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法是由王文智;刘飞飞设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上，然后将PMOS进行下沉设置，使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力；并且本发明为了制作上述结构，设计了相应的制备方法，在制备过程中，通过将上拉晶体管的栅极阶梯化，使得上拉晶体管的栅极能够通过金属硅化技术与传输栅极晶体管的有源区相连，从而极大降低接触电阻，也就是降低了存储节点的发热，从而提高整个器件的性能，并且读写速度比同等条件下现有技术更快。

本发明授权SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM器件的制备方法，SRAM器件包括半导体衬底和形成于半导体衬底上的若干SRAM存储单元，所述SRAM存储单元至少包括6个晶体管，6个晶体管分别为两个传输栅极晶体管、两个上拉晶体管和两个下拉晶体管，上拉晶体管的栅极和传输栅极晶体管的漏相连形成存储节点； 两个传输栅极晶体管和两个下拉晶体管具有第一类有源区，第一类有源区设置为第一方向；两个上拉晶体管具有第二类有源区，第二类有源区设置为第二方向，第二类有源区下沉设置，其中第一方向和第二方向为根据晶圆晶向选择的两个具有最佳载流子迁移速率的方向；其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供半导体衬底； 通过隔离结构隔离出每个晶体管相应的有源区； 通过刻蚀工艺对两个上拉晶体管所在区域进行下沉刻蚀，形成下沉凹槽； 采用离子注入工艺在每个晶体管的有源区注入相应类型的离子，形成第一类有源区和第二类有源区的阱区； 制备每个晶体管的裸栅极，并通过刻蚀工艺将上拉晶体管的裸栅极阶梯化，使得存储节点处的裸栅极与传输栅极晶体管的有源区的高度相同； 对裸栅极进行侧墙制作，得到栅极； 制备源极和漏极； 将存储节点处有源区和栅极顶部表面金属硅化，得到金属硅化层； 制备金属互联层，将6个晶体管相连形成SRAM存储单元。

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