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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121123019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511666067.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法是由王士京;梁洁;王兆祥;胥沛雯;吴倩;方文强设计研发完成，并于2025-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法，包括：在第一温度下执行刻蚀工艺，对在相邻的有机物掩膜之间露出的衬底的表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤，沉积步骤使用第一气体作为沉积气体，用于形成聚合物层，刻蚀步骤使用第二气体作为刻蚀气体，用于对聚合物层和衬底进行刻蚀；第一气体包括分子量小于C44F88的分子量的气体，第二气体包括分子量小于SF66的分子量的气体，以增加扩散系数，提升气体传输效率，第一温度小于‑10℃，以提高聚合物层的致密度和均匀性，并抑制侧向刻蚀。本申请能实现在更小尺寸和更高深宽比下对侧壁的均匀保护，并可提升刻蚀速率。

本发明授权一种高深宽比刻蚀结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比刻蚀结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面上形成多个有机物掩膜； 在第一温度下，执行刻蚀工艺，对在相邻的所述有机物掩膜之间露出的所述衬底的表面进行刻蚀，在所述衬底上形成高深宽比刻蚀结构； 其中，所述刻蚀工艺包括依次按沉积步骤、刻蚀步骤形成的多个周期性循环步骤； 所述沉积步骤使用第一气体作为沉积气体，在形成中的所述高深宽比刻蚀结构的侧壁和所述有机物掩膜的露出表面上形成聚合物层，以在刻蚀时对所述侧壁和所述有机物掩膜进行保护；所述刻蚀步骤使用第二气体作为刻蚀气体，对所述聚合物层和所述衬底进行刻蚀； 所述第一气体包括分子量小于C4F8的分子量的气体，所述第二气体包括分子量小于SF6的分子量的气体，以增加扩散系数，提升气体传输效率； 所述第一温度小于-10℃，以提高所述聚合物层的致密度和均匀性，并抑制侧向刻蚀。

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