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龙图腾网获悉清华大学深圳国际研究生院;重庆大学申请的专利基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121122534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511653810.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法是由成立;曹彬;陶博;王黎明;廖瑞金;杨丽君设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法，包括如下步骤：确定污层静态接触角与低分子质量硅氧烷浓度定量关系；实验获取亲水憎水界面图案化表面切向憎水迁移特性，以憎水迁移距离量化；建立该硅氧烷切向扩散传质模型并推导传质函数；拟合RTV生产商、界面宽度等变量组合的传质参数；构建憎水迁移有限元模型；按连通性分非连通、连通、混合拓扑并加约束生成候选；模拟筛选全域憎水时间达标的优选拓扑；输出参数供制造验证。该方法实现嵌入式RTV涂层拓扑结构定量化设计与优化，填补了现有设计空白，可有效解决涂层脱落问题，提升了绝缘子长期运行的可靠性与经济性。

本发明授权基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅橡胶切向憎水迁移特性的嵌入式RTV涂层拓扑结构设计方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.确定宏观污层静态接触角与污层中低分子质量硅氧烷浓度之间的定量关系； S2.通过实验获取具有亲水憎水界面的图案化表面的切向憎水迁移特性，并以憎水迁移距离作为量化指标； S3.建立低分子质量硅氧烷在人工污层中切向扩散的传质模型，基于扩散方程、初始条件和边界条件求解时变浓度分布，并推导传质函数；其中，所述传质模型包括描述低分子质量硅氧烷在污层中切向扩散的偏微分方程，所述方程包含浓度随时间变化项、空间扩散项和源项；基于实验数据拟合得到总浓度与时间的对数函数关系，并通过对该函数求导得到传质函数表达式； S4.针对不同变量组合，基于实验数据拟合传质函数参数，所述变量组合包括RTV涂层生产商、RTV界面宽度、RTV涂层厚度和污层污秽度； S5.构建表征亲水憎水图案化表面憎水迁移过程的有限元模型，包括几何与网格划分、物理场耦合、边界与初始条件设置； S6.基于预设设计规则，生成候选拓扑结构，所述拓扑结构按连通性分为非连通结构、连通结构和混合结构，并施加多维度约束； S7.利用有限元模型模拟候选拓扑的憎水迁移瞬态响应，计算全域憎水时间，并基于性能准则筛选优选拓扑； S8.输出优选拓扑结构及其设计参数，用于后续制造与验证。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学深圳国际研究生院;重庆大学，其通讯地址为：518055 广东省深圳市南山区桃源街道丽水路2279号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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