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成都旋极星源信息技术有限公司谢李萍获国家专利权

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龙图腾网获悉成都旋极星源信息技术有限公司申请的专利一种超低功耗低压差线性稳压电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121091954B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511631847.4,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权一种超低功耗低压差线性稳压电路是由谢李萍;李巧华;左若愚;赵新强;王兵设计研发完成,并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超低功耗低压差线性稳压电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超低功耗低压差线性稳压电路,涉及集成电路设计领域,包括带隙基准电路、运放电路、反馈电路;所述带隙基准电路用于产生基准电压VREF,反馈电路用于产生不同反馈电压FB,运放电路用于根据基准电压VREF和反馈电压FB产生稳定的输出电压VOUT;反馈电路包括二极管连接结构;二极管连接结构包括若干个串联的二极管接法的PMOS管,用于通过改变串联PMOS管的数量,改变各个PMOS管的分压电压值。本发明替代了传统LDO使用的电阻反馈,通过二极管连接的MOS管分压反馈。该结构具有超低功耗,面积小的特征,同时可根据调整反馈MOS管的数量实现输出电压VOUT的大小调整。

本发明授权一种超低功耗低压差线性稳压电路在权利要求书中公布了:1.一种超低功耗低压差线性稳压电路,其特征在于:包括带隙基准电路、运放电路、反馈电路;所述带隙基准电路用于产生基准电压VREF,反馈电路用于产生不同反馈电压FB,运放电路用于根据基准电压VREF和反馈电压FB产生稳定的输出电压VOUT; 所述运放电路包括一个运算放大器,带隙基准电路的基准电压VREF输出端连接运算放大器的同相输入端,反馈电路的反馈电压FB输出端连接运算放大器的反相输入端,运算放大器的输出端输出电压VOUT; 所述反馈电路包括串联的第十三PMOS管、第十四PMOS管和二极管连接结构;二极管连接结构包括若干个串联的二极管接法的PMOS管,用于通过改变串联PMOS管的数量,改变各个PMOS管的分压电压值,所述二极管接法的PMOS管的栅极和漏极短接;第十三PMOS管的源极连接运放电路的输出电压VOUT端,第十三PMOS管的栅极和漏极均与反馈电压FB输出端连接,第十四PMOS管的源极连接第十三PMOS管的漏极,第十四PMOS管的栅极和漏极均与二极管连接结构第一端连接,二极管连接结构第二端接地; 所述带隙基准电路包括PNP型BJT管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管; 第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极均连接电源VDD,第一PMOS管漏极与PNP型BJT管的发射极、第一NMOS管的栅极以及第二NMOS管的栅极相连接,第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极以及第一NMOS管的漏极相连接,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极、第五NMOS管的源极连接,第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极、栅极均连接,PNP型BJT管的基极和集电极均接地,第三NMOS管的源极接地; 第三PMOS管的漏极连接第四NMOS管的栅、漏极以及第五NMOS管的栅极,第四NMOS管的源极连接第五NMOS管的漏极和第七NMOS管的源极,第四PMOS管的漏极连接第六NMOS管的栅、漏极以及第七NMOS管的栅极,第六NMOS管的源极、第七NMOS管的漏极均与基准电压VREF输出端连接; 所述运放电路还包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管和第十四NMOS管; 第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十二PMOS管的源极均连接电源VDD,第六PMOS管和第七PMOS管的栅极均与带隙基准电路的第一端连接,第六PMOS管的漏极与第八NMOS管的漏极、第八NMOS管的栅极、第十NMOS管的栅极以及第十一NMOS管的栅极均连接,第八NMOS管的源极与第九NMOS管的漏极、第九NMOS管的栅极、第十二NMOS管的栅极、第十三NMOS管的栅极以及第十四NMOS管的栅极均连接; 第七PMOS管的漏极与第十PMOS管的源极、第十一PMOS管的源极连接,第十PMOS管的栅极为运算放大器的同相输入端,第十一PMOS管的栅极为运算放大器的反相输入端,第十PMOS管的漏极与第十NMOS管的源极、第十二NMOS管的漏极连接,第十一PMOS管的漏极与第十一NMOS管的源极、第十三NMOS管的漏极连接;第八PMOS管的栅极与第八PMOS管的漏极、第九PMOS管的栅极、第十NMOS管的漏极连接,第九PMOS管的漏极与第十一NMOS管的漏极、第十二PMOS管的栅极连接,第十二PMOS管的漏极和第十四NMOS管的漏极均连接并为输出电压VOUT端,第九NMOS管的源极、第十二NMOS管的漏极、第十三NMOS管的漏极和第十四NMOS管的源极均接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都旋极星源信息技术有限公司,其通讯地址为:610041 四川省成都市高新区科园南二路2号1栋二层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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