陛通半导体设备(苏州)有限公司吴先亮获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利沉积件及沉积设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121065637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511613350.X,技术领域涉及:C23C14/22;该发明授权沉积件及沉积设备是由吴先亮;周云;睢智峰;宋维聪设计研发完成,并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本沉积件及沉积设备在说明书摘要公布了:本发明提供一种沉积件及沉积设备,所述沉积件包括:沉积环、中心节点以及多个支撑杆;所述中心节点设置于所述沉积环的中心位置;所述支撑杆的第一端与所述中心节点连接,所述支撑杆的第二端与所述沉积环连接,所述支撑杆具有绕自身轴线的扭转;多个所述支撑杆环绕所述中心节点呈放射状排布,以将所述沉积环和所述中心节点之间的区域分割为多个沉积区域。如此配置,通过将支撑杆配置为绕自身轴线扭转,改变支撑杆不同位置处相对于靶材方向的投影面积或投影角度,从而调节支撑杆在晶圆上的投影,改善薄膜电阻的图案趋势,同时调节不同位置的薄膜厚度,提升局部均匀性。
本发明授权沉积件及沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种沉积件,其特征在于,包括:沉积环、中心节点以及多个支撑杆; 所述中心节点设置于所述沉积环的中心位置;所述支撑杆的第一端与所述中心节点连接,所述支撑杆的第二端与所述沉积环连接,所述支撑杆具有绕自身轴线的扭转; 多个所述支撑杆环绕所述中心节点呈放射状排布,以将所述沉积环和所述中心节点之间的区域分割为多个沉积区域; 所述支撑杆上任意一位置的横截面具有经过自身形心的主惯性轴;其中,对应最小惯性矩的所述主惯性轴与所述沉积环的轴线之间的夹角,为所述支撑杆在该位置处的扭转角; 所述支撑杆自所述第一端至所述第二端,所述扭转角呈非线性变化。
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