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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511550729.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法是由余鹿鸣;王月;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法，针对现有AlGaInP基红光Micro‑LED的N面AuGe欧姆接触层退火温度监控不准、温场不均难检测、异常响应滞后的问题，该方法通过七步工艺两次图形化、两次金属镀膜、两次去胶、退火与观测，在晶圆N面制备AuGe第一欧姆接触层功能用与AuGeNi第二欧姆接触层检测用；利用Ni抑制AuGe团聚的特性，通过光学显微镜观察两层团聚状态差异判断温度正常时前者团聚、后者无团聚；该方法检测便捷、支持批量检测，可实时发现温度异常，提升工艺稳定性，适用于工业化量产。

本发明授权一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法在权利要求书中公布了：1.一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，图形化工艺1：在AlGaInP基红光Micro-LED待加工晶圆的N面旋涂光刻胶，对光刻胶固化后采用掩膜版A进行紫外曝光，再用显影液去除曝光区域的光刻胶，得到图形化基底； S2，金属镀膜1：在步骤S1所得图形化基底表面，蒸镀由金Au和锗Ge组成的第一欧姆接触层； S3，去胶1：采用有机溶剂冲洗步骤S2所得样品表面，剥离底部附着光刻胶的金属，保留正常欧姆接触区的第一欧姆接触层； S4，图形化工艺2：在步骤S3处理后的样品表面再次旋涂光刻胶，对光刻胶固化后采用掩膜版B进行紫外曝光，再用显影液去除曝光区域的光刻胶，得到预留测试区的图形化基底； S5，金属镀膜2：在步骤S4所得图形化基底表面，蒸镀由金Au、锗Ge和镍Ni组成的第二欧姆接触层； S6，去胶2：采用与步骤S3相同的有机溶剂冲洗步骤S5所得样品表面，剥离底部附着光刻胶的金属，保留预留测试区的第二欧姆接触层； S7，退火与温度判断：将步骤S6所得样品置于退火设备中进行退火处理，退火后通过光学观测设备观察第一欧姆接触层与第二欧姆接触层的团聚状态，根据团聚状态差异判断退火温度是否正常。

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