浙江大学杭州国际科创中心薛飞获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种二维JFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511575508.9，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种二维JFET器件及其制作方法是由薛飞;王涛;王宝玉;常凯设计研发完成，并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维JFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维JFET器件及其制作方法。所述二维JFET器件包括：绝缘衬底；少层二维铁电半导体薄膜，少层二维铁电半导体薄膜位于绝缘衬底表面；二维半金属薄膜，二维半金属薄膜位于少层二维铁电半导体薄膜表面的中间区域；金属电极，金属电极分为源电极、漏电极和栅电极，其中，源电极和漏电极分别位于二维半金属薄膜两侧的少层二维铁电半导体薄膜表面，栅电极位于二维半金属薄膜表面。本发明的二维JFET器件利用二维半金属的高导电性，二维铁电半导体材料的自发极化、可调控特性与功函数低、无悬挂键等特性，降低了结区肖特基势垒高度与器件的工作电压范围，避免了分摊压降现象，实现了近乎理想的亚阈值摆幅以及对沟道电导的精确控制。
本发明授权一种二维JFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种二维JFET器件，其特征在于，包括： 绝缘衬底； 少层二维铁电半导体薄膜，所述少层二维铁电半导体薄膜位于所述绝缘衬底表面，且所述少层二维铁电半导体薄膜的制作材料为α-In2Se3，或，γ-InSe，或，ReS2，或，ReSe2； 二维半金属薄膜，所述二维半金属薄膜位于所述少层二维铁电半导体薄膜表面的中间区域，且所述二维半金属薄膜的制作材料为1T’-MoTe2，或，WTe2，或，Bi； 金属电极，所述金属电极分为源电极、漏电极和栅电极，其中，所述源电极和漏电极分别位于所述二维半金属薄膜两侧的少层二维铁电半导体薄膜表面，所述栅电极位于所述二维半金属薄膜表面。
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