苏州实验室郁骁琦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利一种衍射型面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511546437.X，技术领域涉及：H01S5/185；该发明授权一种衍射型面发射半导体激光器是由郁骁琦;夏素缦;熊康林;孙志伟;郑煜臻;王军飞;王怀兵;杨辉设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衍射型面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种衍射型面发射半导体激光器，包括从上到下依次设置的上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到有源层时，有源层发射光，有源层的至少一侧设置有光学调制结构，光学调制结构包括强面内反馈区域和弱面内反馈区域，强面内反馈区域位于光学调制结构的中心区域，弱面内反馈区域围绕强面内反馈区域设置，强面内反馈区域的半径小于R1，弱面内反馈区域的半径小于R2，R2大于R1。本发明半导体激光器的光学调制层包括半径小于R1的强面内反馈区域和半径小于R2且大于R1的弱面内反馈区域，该结构能够降低基模的损耗，同时增大基模与高阶模的增益阈值差，有利于大尺寸器件的单模激射。
本发明授权一种衍射型面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种衍射型面发射半导体激光器，包括从上到下依次设置的上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，所述有源层发射光，其特征在于，所述有源层的至少一侧设置有光学调制结构，所述光学调制结构包括强面内反馈区域和弱面内反馈区域，所述强面内反馈区域位于所述光学调制结构的中心区域，所述弱面内反馈区域围绕所述强面内反馈区域设置，所述强面内反馈区域的半径小于R1，所述弱面内反馈区域的半径小于R2，R2大于R1； 所述光学调制结构为环形光栅结构或环形空孔结构，所述环形光栅结构或环形空孔结构采用二阶光栅结构或更高阶的光栅结构。
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