通富通科(南通)微电子有限公司江倩获国家专利权
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龙图腾网获悉通富通科(南通)微电子有限公司申请的专利一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511501786.X，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法是由江倩;吴明敏;吉红斌;李德权设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法，先在芯片的功能面依次堆叠形成第一介电层和第二介电层；对第二介电层进行图形化形成介电层凸块，介电层凸块用于与封装基板的阻焊层开窗相对应，阻焊层开窗内设置有焊盘；对介电层凸块和第一介电层同时进行图形化以形成开口；在开口内形成导电凸起。通过在第一介电层上形成与阻焊层开窗相对应的介电层凸块，并在介电层凸块和第一介电层上形成与焊盘相对应的导电凸起，在芯片贴装时在第一介电层和介电层凸块表面形成的非导电胶层也呈凸起状，从而可在热压焊接过程中，使得呈凸起状的非导电胶层优先填充于阻焊层开窗，排出其中的气体，避免空洞的形成，提高芯片封装结构的可靠性。
本发明授权一种芯片结构及其形成方法、芯片封装结构及其方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供芯片； 在所述芯片的功能面依次堆叠形成第一介电层和第二介电层； 对所述第二介电层进行图形化，形成介电层凸块，所述介电层凸块用于与封装基板的阻焊层开窗相对应，所述阻焊层开窗内设置有焊盘；其中，在芯片贴装时在所述第一介电层和所述介电层凸块的表面形成非导电胶膜层，非导电胶膜层也呈凸起状，从而可在热压焊接过程中，使得呈凸起状的非导电胶膜层优先填充于所述阻焊层开窗； 对所述介电层凸块和所述第一介电层同时进行图形化，以在所述介电层凸块和所述第一介电层上对应所述焊盘处形成开口； 在所述开口内形成导电凸起。
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