合肥晶合集成电路股份有限公司刘然获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利聚焦环、刻蚀系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121034936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511547191.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权聚焦环、刻蚀系统是由刘然;李文超;罗成;林政纬设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚焦环、刻蚀系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种聚焦环、刻蚀系统，涉及半导体技术领域，该聚焦环在进行半导体刻蚀时，由于在第一凹槽内的第一膜层具有多个凸起结构，且相邻两个凸起结构之间具有第一夹角，第一膜层可以让射过来的等离子体被反射和吸收，从而消耗掉等离子体，解决了因等离子体聚集导致聚焦环偏移和倾斜的问题。进一步的，由于聚焦环没有偏移和倾斜，避免了底部微沟槽的产生，所以增加了晶圆刻蚀的良率。
本发明授权聚焦环、刻蚀系统在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环，其特征在于，所述聚焦环包括： 第一环体，所述第一环体包括环结构以及第一膜层； 在第一方向上，所述环结构的一侧具有第一凹槽，所述第一膜层覆盖所述第一凹槽的表面；所述第一方向垂直于所述第一环体所在平面； 所述第一膜层包括多个凸起结构，相邻两个所述凸起结构之间具有第一夹角，所述第一膜层的材料用于反射和吸收等离子体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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