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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511454136.4，技术领域涉及：H10H29/30；该发明授权一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法是由于佳琪;余鹿鸣;钟冠伦;黄振设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种Si基混合集成Micro‑LED芯片及制备方法，芯片以Si衬底为核心集成载体，正面通过区域化选择性外延直接生长GaN基蓝绿光Micro‑LED阵列，同时通过晶圆键合集成AlGaInP基红光Micro‑LED阵列，背面集成CMOS驱动电路；GaN基蓝绿光与AlGaInP基红光阵列的p型层表面均覆盖透明导电层及复合正电极，Si衬底背面制备复合负电极并与CMOS驱动电路互联；本发明通过AlGaInP材料体系解决传统GaN基红光效率低的问题，减少转移次数，结合高导热性与兼容性，实现全彩Micro‑LED的高效集成，兼具高发光率、高良率、强可靠性与广应用兼容性，适用于多种全彩显示场景。

本发明授权一种Si基混合集成Micro-LED芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Si基混合集成Micro-LED芯片，其特征在于，包括Si衬底、集成于所述Si衬底正面的GaN基蓝绿光Micro-LED阵列与AlGaInP基红光Micro-LED阵列，以及集成于所述Si衬底背面的CMOS驱动电路； 所述GaN基蓝绿光Micro-LED阵列通过区域化选择性外延直接生长于Si衬底正面，所述AlGaInP基红光Micro-LED阵列通过晶圆键合集成于Si衬底正面指定区域； 所述GaN基蓝绿光Micro-LED阵列与AlGaInP基红光Micro-LED阵列的p型层表面均覆盖透明导电层，所述透明导电层为ITO、IZO或AZO透明导电材料，厚度为50-300nm，铟锡摩尔比为9:1，且透光率＞90%、方块电阻＜50Ω□，用于解决小尺寸Micro-LED的电流均匀性问题；所述透明导电层表面均制备有复合正电极，所述复合正电极由至少两种金属层组成，总厚度为500-1500nm，用于解决传统电极的脱落问题； 所述Si衬底背面制备有复合负电极，所述复合负电极厚度由至少两种金属层组成，总厚度为500-1500nm，并通过该负电极与CMOS驱动电路实现电学互联。

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