买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511476491.1，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法是由王月;余鹿鸣;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种改善AlGaInP红光MicroLED侧壁刻蚀损伤的方法，包括以下步骤：S1，外延清洗；S2，图形化光刻；S3，ICP干法刻蚀；S4，S4，湿法修复药液配置；S5，侧壁损伤湿法处理；S6，后处理；S7，效果表征；本申请针对ICP干法刻蚀产生50‑100nm侧壁损伤层、引发非辐射复合致器件效率低，且现有ALEALD技术成本高或修复不彻底的问题，提出清洗‑图形化光刻‑ICP刻蚀‑弱酸+氧化剂湿法修复‑后处理‑表征的工艺；修复后损伤层去除率≥90%，光致发光峰值提升≥25%，无需专用设备，兼容MicroLED量产流程，降低成本，适用于ARVR全彩显示等场景，有效提升器件发光性能。

本发明授权一种改善AlGaInP红光Micro LED侧壁刻蚀损伤的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善AlGaInP红光MicroLED侧壁刻蚀损伤的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，外延清洗：对AlGaInP外延材料依次进行有机试剂超声清洗、极性溶剂浸泡、去离子水冲洗，后经甩干处理得到洁净外延片； S2，图形化光刻：在洁净AlGaInP外延表面涂覆光刻胶，经曝光、显影形成图形化掩膜； S3，ICP干法刻蚀：将带有图形化掩膜的AlGaInP外延片置于ICP刻蚀机中，采用含Cl基气体与惰性气体的混合气体进行刻蚀，形成MicroLED像素阵列； S4，湿法修复药液配置：将弱酸与去离子水混合并加热搅拌至完全溶解，再加入氧化剂搅拌均匀，冷却至常温得到湿法修复药液； S5，侧壁损伤湿法处理：将刻蚀后的AlGaInP外延片浸没于湿法修复药液中，通过振荡使药液与像素侧壁充分接触，腐蚀去除刻蚀损伤层； S6，后处理：将湿法处理后的外延片经去离子水冲洗去除残留药液，再通过惰性气体吹干； S7，效果表征：通过电子显微镜观察侧壁形貌、通过光致发光测试表征发光性能，验证损伤修复效果。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人微玖(苏州)光电科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区双溇里路3号合木·传奇大厦816室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。