晶科能源(海宁)有限公司王浩获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120981025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511509825.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件是由王浩;陈金金;叶亮;陈钦;郭佳栋;王钊;郑霈霆;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件。制备方法包括：在基底的第一面制备隧穿氧化层；在隧穿氧化层沿厚度方向的表面以第一沉积条件沉积多晶硅，并由第一沉积条件逐渐减小到第二沉积条件；在第一掺杂条件下对多晶硅层进行磷扩散掺杂，多晶硅层转化为掺杂多晶硅层。本申请通过设定沉积条件逐渐减小，形成晶化率渐变的多晶硅层，从而在磷扩时形成掺杂浓度渐变的掺杂多晶硅层，使掺杂多晶硅层靠近基底的一侧具有低掺杂浓度，可有效阻挡磷原子的扩散，降低磷原子扩穿基底的风险，提高钝化水平。同时，掺杂多晶硅层远离基底的一侧具有高掺杂浓度，有利于金属接触，提升转换效率。
本发明授权太阳能电池制备方法、太阳能电池、叠层电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 在基底11的第一面11a制备隧穿氧化层12； 在所述隧穿氧化层12沿厚度方向Z的表面以第一沉积条件沉积多晶硅，并由所述第一沉积条件逐渐减小到第二沉积条件； 在第一掺杂条件下对所述多晶硅层进行磷扩散掺杂，以使所述多晶硅层转化为掺杂多晶硅层13，其中所述第一掺杂条件中，扩散温度为800℃-850℃，扩散时间为15min-30min； 在所述第一掺杂条件下对所述多晶硅层进行磷扩散掺杂的步骤之后，所述制备方法还包括： 提升扩散温度为880℃-930℃，扩散时间为30min-50min。
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