合肥晶合集成电路股份有限公司刘苏涛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利晶圆的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120977872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511505955.7，技术领域涉及：H10P50/68；该发明授权晶圆的刻蚀方法是由刘苏涛设计研发完成，并于2025-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆的刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底、依次层叠形成于所述衬底一侧的外延层、第一氧化层、第一硬掩膜层，及贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层并延伸至外延层内的浅沟槽隔离结构；于所述衬底远离所述外延层的一侧形成多孔介质层；对所述晶圆进行第一次湿法刻蚀处理，以去除所述第一硬掩膜层；对所述晶圆进行第二次湿法刻蚀处理，以去除所述多孔介质层。本申请利用多孔介质层对硅离子的捕捉能力，使刻蚀剂中游离的硅离子在多孔介质层的表面结晶并析出，以提升晶圆内设置有浅沟槽隔离结构一侧表面的洁净度。
本发明授权晶圆的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括衬底、依次层叠形成于所述衬底一侧的外延层、第一氧化层、第一硬掩膜层，及贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层并延伸至所述外延层内的浅沟槽隔离结构； 于所述衬底远离所述外延层的一侧形成多孔介质层，所述多孔介质层的材料包括多孔氧化硅，且所述多孔介质层的孔隙度范围包括20%~60%； 对所述晶圆进行第一次湿法刻蚀处理，以去除所述第一硬掩膜层； 对所述晶圆进行第二次湿法刻蚀处理，以去除所述多孔介质层； 对所述晶圆进行第一次湿法刻蚀处理的过程包括： 将一批所述晶圆相互间隔地设置于刻蚀槽内，使所述刻蚀槽内的刻蚀剂完全浸没所有所述晶圆，以去除所有所述晶圆内的所述第一硬掩膜层； 其中，所有所述晶圆的表面相互平行，且所有所述晶圆内形成有所述浅沟槽隔离结构一侧表面的朝向相同。
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