合肥晶合集成电路股份有限公司许超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利晶圆键合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120954967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511471726.8，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权晶圆键合方法是由许超;杨昱霖;沈娅;陈月月设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆键合方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆后，将硅酸酯和醇溶剂的混合液采用旋涂工艺分别旋涂在所述第一晶圆和第二晶圆的待键合面；进行所述旋涂工艺后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆分别静置处理，所述硅酸酯和醇溶剂的混合液发生反应，在所述第一晶圆的待键合面形成第一硅溶胶层，在所述第二晶圆的待键合面形成第二硅溶胶层；对所述第一硅溶胶层和所述第二硅溶胶层分别进行UV固化处理，在所述第一晶圆的待键合面形成第一氧化硅层，在所述第二晶圆的待键合面形成第二氧化硅层；将所述第二晶圆的第二氧化硅层键合至所述第一晶圆的第一氧化硅层。本申请方法提高了晶圆键合的强度。
本发明授权晶圆键合方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括： 提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括待键合面； 将包括硅酸酯和醇溶剂的混合液采用旋涂工艺分别旋涂在所述第一晶圆和第二晶圆的待键合面； 进行所述旋涂工艺后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆分别静置处理，所述硅酸酯和醇溶剂的混合液发生反应，在所述第一晶圆的待键合面形成第一硅溶胶层，在所述第二晶圆的待键合面形成第二硅溶胶层； 分别对所述第一硅溶胶层和所述第二硅溶胶层的表面进行碱性溶液处理； 对所述第一硅溶胶层和所述第二硅溶胶层分别进行UV固化处理，在所述第一晶圆的待键合面形成第一氧化硅层，在所述第二晶圆的待键合面形成第二氧化硅层； 将所述第二晶圆的第二氧化硅层键合至所述第一晶圆的第一氧化硅层； 其中，所述第一晶圆的待键合面包括切割道区域，所述切割道区域具有凹陷，所述第一硅溶胶层填充所述凹陷，所述第一硅溶胶层的远离所述第一晶圆的待键合面的表面为平坦表面。
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