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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120911394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511445545.8，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图是由陈星;郭军;王阳阳;童俊生;左宏业设计研发完成，并于2025-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图，属于半导体技术领域，所述虚拟图形的填充方法包括以下步骤：提供半导体器件的电路版图，且相邻的所述器件图形之间形成间隙虚拟图形填充区域；在所述间隙虚拟图形填充区域中逐个填充间隙虚拟图形，在填充间隙虚拟图形时，先依据所述间隙虚拟图形填充区域的宽度确定所述串接图形的宽度，依据所述间隙虚拟图形填充区域的长度确定所述指状图形的宽度，在逐个填充所述间隙虚拟图形时，依据所述间隙虚拟图形填充区域的待填充间距确定每个所述间隙虚拟图形中所述指状图形的数量。通过本发明公开的电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图，可提高虚拟图形的均匀性。

本发明授权一种电路版图中虚拟图形的填充方法以及电路版图在权利要求书中公布了：1.一种电路版图中虚拟图形的填充方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体器件的电路版图，且相邻的所述器件图形之间形成间隙虚拟图形填充区域；以及 在所述间隙虚拟图形填充区域中逐个填充间隙虚拟图形，且每个所述间隙虚拟图形包括一个串接图形和至少一个指状图形，所述串接图形和所述指状图形交迭，且所述串接图形垂直于每个所述指状图形； 其中，在填充间隙虚拟图形时，先依据所述间隙虚拟图形填充区域的宽度确定所述串接图形的宽度，依据所述间隙虚拟图形填充区域的长度确定所述指状图形的宽度，在逐个填充所述间隙虚拟图形时，依据所述间隙虚拟图形填充区域的待填充间距确定每个所述间隙虚拟图形中所述指状图形的数量； 当第一间隙虚拟图形填充区域的延伸方向为所述器件图形中有源图形的延伸方向时，在所述第一间隙虚拟图形填充区域中，所述串接图形为虚拟有源图形，所述指状图形为虚拟栅极图形； 当第二间隙虚拟图形填充区域的延伸方向为所述器件图形中栅极图形的延伸方向时，在所述第二间隙虚拟图形填充区域中，所述串接图形为虚拟栅极图形，所述指状图形为虚拟有源图形。

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