河北天翼红外科技有限公司邓大伟获国家专利权
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龙图腾网获悉河北天翼红外科技有限公司申请的专利一种铟阵列内单铟球去除方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120857658B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511053226.2,技术领域涉及:H10F39/00;该发明授权一种铟阵列内单铟球去除方法及系统是由邓大伟;刘潇宇;马晓敏设计研发完成,并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铟阵列内单铟球去除方法及系统在说明书摘要公布了:本发明属于半导体技术领域,提供了一种铟阵列内单铟球去除方法及系统,方法包括:模糊定位、高度数据测量、最终电路厚度数据计算、原始读出电路固定、十字叉丝对齐、下降高度信息计算、抽真空及加热、钨铂合金冷针穿刺、目标异常铟球剔除以及冷却及加压;本发明通过定位、加热、冷抽取的方式将读出电路阵列内单个铟球去除,避免了读出电路报废、光敏层裂开情况的发生,提高了读出电路的利用率和大面阵器件的成品率,降低了成本。
本发明授权一种铟阵列内单铟球去除方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种铟阵列内单铟球去除方法,其特征在于,包括: 将成球后的原始读出电路放置在金相显微镜上,对所述原始读出电路上铟球形貌不符合预设铟球参数范围的铟球区域进行筛查,得到模糊定位数据; 根据所述模糊定位数据利用激光聚焦设备对目标异常铟球进行测量,得到高度数据; 在非接触式测厚仪上对所述读出电路进行测厚,得到第一厚度数据; 利用台阶仪测量所述读出电路制备工序中的陪片的电极厚度,得到第二厚度数据,对所述第一厚度数据和所述第二厚度数据进行相加,得到最终电路厚度数据; 将所述原始读出电路放置在碳化硅基板夹具平台上的凹槽内的左上角; 根据所述模糊定位数据通过调整镜头视觉窗口将所述原始读出电路上的所述目标异常铟球和操作电脑上的十字叉丝进行对齐; 对所述高度数据、所述最终电路厚度数据以及预设的机械臂的竖轴坐标进行相加得到下降高度信息; 关闭所述原始读出电路所在的腔室盖,将所述原始读出电路所在的真空腔室抽真空至5E-2Pa以上,将所述碳化硅基板夹具平台加热至157℃; 当对所述原始读出电路加热到预设加热时长后,若所述真空腔室内的压强数值不超过1E-1Pa,则根据所述下降高度信息利用钨铂合金冷针对所述目标异常铟球进行穿刺; 当对所述目标异常铟球穿刺到预设穿刺时长后,利用所述钨铂合金冷针对所述目标异常铟球进行剥离,得到优化读出电路; 当所述目标异常铟球剥离完成后,停止对所述碳化硅基板夹具平台加热,将所述碳化硅基板夹具平台冷却到室温,向所述真空腔室内充入氮气,当所述真空腔室内气压恢复至大气压力后取出所述优化读出电路。
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