合肥晶合集成电路股份有限公司杨芹芹获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120857595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511373979.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件是由杨芹芹;宋富冉;苏烁洋;陈宗义;周儒领设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件，包括：提供一中间制品，包括PMOS区域和NMOS区域，PMOS区域和NMOS区域上均形成有多晶硅栅极结构及覆盖在多晶硅栅极结构外的第一氧化物层，多晶硅栅极结构包括从内到外依次形成的栅极多晶硅层、硬掩模层、氧化硅层和氮化硅层；研磨第一氧化物层，使第一氧化物层的表面齐平；减薄剩余的第一氧化物层，以显露出氮化硅层的顶部；刻蚀去除氮化硅层的顶部及侧墙的一部分，以显露出氧化硅层的顶部；减薄剩余的第一氧化物层，并去除氧化硅层以及硬掩模层的顶部，直至栅极多晶硅层的顶面停止。本发明有效减少NMOS与PMOS区域之间的高度差。
本发明授权改善NMOS和PMOS高度差方法、半导体结构及器件在权利要求书中公布了：1.一种改善NMOS和PMOS高度差方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.提供一中间制品，所述中间制品至少包括PMOS区域和NMOS区域，所述PMOS区域和所述NMOS区域上均形成有多晶硅栅极结构以及覆盖在所述多晶硅栅极结构外的第一氧化物层1，所述多晶硅栅极结构包括从内到外依次形成的栅极多晶硅层5、硬掩模层4、氧化硅层3和氮化硅层2； 步骤2.执行研磨工艺，研磨所述第一氧化物层1，使所述第一氧化物层1的表面齐平； 步骤3.执行刻蚀工艺，减薄剩余的所述第一氧化物层1，以显露出所述氮化硅层2的顶部； 步骤4.执行刻蚀工艺，去除所述氮化硅层2的顶部及侧墙的一部分，以显露出所述氧化硅层3的顶部； 步骤5.执行研磨工艺，减薄剩余的所述第一氧化物层1，并去除所述氧化硅层3以及硬掩模层4的顶部，直至所述栅极多晶硅层5的顶面停止。
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