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龙图腾网获悉东莞理工学院申请的专利一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120778671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511077312.7，技术领域涉及：G01N21/3581；该发明授权一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法是由袁玉峰设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法，属于太赫兹超材料生化传感技术领域。结构包括：等离子金膜衬底和超材料图形结构。超材料图形结构沉积于等离子金膜衬底表面，其单元胞由垂直分列谐振器和水平中间连接器构成。垂直分列谐振器由两个金质方形柱体谐振器组成，中间连接器由二维材料石墨烯纳米薄层构成。在TM太赫兹波垂直入射激励下，垂直分列谐振器和水平中间连接器能够实现高强度电场耦合，输出超高的探测灵敏度和高品质因数。本发明结构简单，易制备，提供的探测灵敏度位于THzRIU量级，远高于目前的太赫兹传感器件性能，可以有效解决目前太赫兹传感器件存在结构复杂、探测灵敏度不佳及品质因数不高等现实问题。

本发明授权一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超高灵敏太赫兹超材料传感器件，其特征在于，包括：等离子金膜衬底和周期性的超材料图形结构； 所述超材料图形结构包括若干呈周期性排列分布的单元胞；所述单元胞沉积于所述等离子金膜衬底的表面； 所述单元胞由垂直分列谐振器和水平中间连接器构成； 所述垂直分列谐振器包括两个方形柱体谐振器； 所述水平中间连接器由二维材料石墨烯纳米薄层构成； 所述超材料图形结构的周期宽度范围为3μm～5μm； 两个相邻的所述单元胞之间的距离为1.4μm； 所述等离子金膜衬底的材质为金，厚度变化范围为0.1μm～0.5μm； 两个所述方形柱体谐振器的材质为金，高度和宽度相同，高度变化范围为0.7μm～1μm；宽度变化范围为0.3μm～0.5μm； 两个所述方形柱体谐振器之间的连接器的材质采用石墨烯，厚度变化范围为0.1μm～0.3μm，宽度变化范围为0.7μm～0.9μm； 在TM太赫兹波垂直入射激励下，所述垂直分列谐振器和所述水平中间连接器发生共振，产生一个太赫兹共振吸收峰； 改变传感器件表面的光学折射率，所述太赫兹共振吸收峰发生蓝移现象。

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