安徽华鑫微纳集成电路有限公司黄斌获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽华鑫微纳集成电路有限公司申请的专利一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120497138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510590405.3，技术领域涉及：H10P50/26；该发明授权一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用是由黄斌;丁景兵;乔程设计研发完成，并于2025-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用。在晶圆表面沉积待刻蚀的金属薄膜，然后旋涂光刻胶掩膜并进行曝光显影处理，完成光刻胶掩膜的图形化；之后进行高温坚膜处理，通过高温使光刻胶掩膜产生热回流，降低光刻胶掩膜角度；获取坚膜后的光刻胶掩膜侧壁角度，调整离子束刻蚀入射角度，使离子束入射角度与光刻胶掩膜侧壁角度互余，进行刻蚀直至完成。本方法可将离子束刻蚀沟槽侧壁陡直度控制在50°以内，且无侧墙沉积，能极大的增加了多层布线工艺金属层间可靠性。
本发明授权一种低角度形貌的离子束刻蚀方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种低角度形貌的离子束刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在晶圆表面沉积待刻蚀的金属薄膜，然后旋涂设定厚度的光刻胶掩膜，进行曝光显影处理，完成光刻胶掩膜的图形化； S2.进行高温坚膜处理，通过高温使光刻胶掩膜产生热回流，降低光刻胶掩膜角度，所述光刻胶掩膜角度为光刻胶掩模侧壁和所述光刻胶底边的夹角，所述高温坚膜温度在130~150℃； S3.获取坚膜后的光刻胶掩膜侧壁角度； S4.以垂直于晶圆表面为参照，调整离子束刻蚀入射角度，使离子束入射角度与坚膜后的光刻胶掩膜侧壁角度互余，进行刻蚀直至完成，使得所述金属薄膜上形成的离子束刻蚀沟槽具有低倾角、无侧墙沉积的光滑侧壁。
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