南京邮电大学孙鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120209265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510343384.5，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物及其制备方法和应用是由孙鹏飞;席晨航;常彬设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物及其制备方法和应用，使用电子受体单元，6,6,12,12‑四4‑己基苯基‑6,12‑二氢二噻吩[2,3‑d:2',3'‑d']‑s‑茚并[1,2‑b:5,6‑b']二噻吩‑2,8‑二三甲基锡和4,4‑双6‑溴己基‑4H‑环戊二烯并[2,1‑b:3,4‑b']二噻吩‑2,6‑二基双三甲基锡烷作为电子供体单元，进行聚合反应获得具有聚集诱导发光效应的中间聚合物；再在中间聚合物侧链引入磷酸根基团，得到具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物。与F‑127自组装后的水溶性纳米颗粒可作为造影剂。
本发明授权一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种具有抗聚集淬灭效应的近红外二区荧光共轭聚合物，其特征在于，所述聚合物的化学结构通式为： ； 其中，m、n表示重复单元数，m为3~10，n为3~10。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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