长江存储科技有限责任公司孙超获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311493928.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体装置及其制造方法是由孙超;江宁;刘威设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本文公开了一种半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法可以包括：提供衬底，从第一侧对衬底进行蚀刻以形成具有第一端和第二端的至少一个垂直柱，在形成在至少一个垂直柱的侧壁上的栅极电介质层上形成至少一条栅极线，在至少一个垂直柱的第一端处形成第一p型区域，形成连接第一p型区域的存储件，去除衬底的位于衬底的与第一侧相对的第二侧处的一部分以暴露至少一个垂直柱的第二端，在至少一个垂直柱的第二端处形成由至少p型SiGe制成的第二p型区域，以及形成与第二p型区域连接的位线。
本发明授权一种半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，包括： 提供衬底； 从所述衬底的第一侧对所述衬底进行蚀刻，以形成至少一个垂直柱，所述至少一个垂直柱具有第一端以及与所述第一端相对的第二端； 在栅极电介质层上形成至少一条栅极线，所述栅极电介质层形成在所述至少一个垂直柱的侧壁上； 在所述至少一个垂直柱的所述第一端处形成第一p型区域； 形成连接所述第一p型区域的存储件； 去除所述衬底的位于所述衬底的第二侧处的一部分，以暴露所述至少一个垂直柱的所述第二端，所述衬底的所述第二侧与所述衬底的所述第一侧相对； 在所述至少一个垂直柱的所述第二端处形成第二p型区域，所述第二p型区域由至少p型硅锗SiGe制成；以及 形成与位于所述至少一个垂直柱的所述第二端处的所述第二p型区域连接的位线。
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