长江存储科技有限责任公司董宽获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311452138.0，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器装置及其制造方法是由董宽;张刚;肖梦;刘隆冬;何舟;王攀;董金;肖蒙;刘力恒设计研发完成，并于2023-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了三维3D存储器装置及其制造方法的实施方式。在一些实施方式中，所公开的3D存储器装置包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括在竖直方向上交替堆叠的多个电介质层和导电层；沟道结构的阵列，每个沟道结构竖直地贯穿堆叠结构，每个沟道结构包括功能层和沟道层；以及多个隔离结构，所述多个隔离结构沿第一横向方向平行延伸并且竖直地位于堆叠结构的上部部分中，每个隔离结构与相邻两行的沟道结构的沟道层接触。
本发明授权三维存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括在竖直方向上交替堆叠的多个电介质层和导电层； 沟道结构的阵列，每个沟道结构竖直地贯穿所述堆叠结构，每个沟道结构包括功能层和沟道层； 多个隔离结构，所述多个隔离结构沿第一横向方向平行延伸并且竖直地位于所述堆叠结构的上部部分中，每个隔离结构与相邻两行的沟道结构的所述沟道层接触；以及 沿所述第一横向方向平行延伸并且竖直地贯穿所述堆叠结构的多个栅极线结构； 其中，位于相邻栅极线结构之间的所述隔离结构的第一数量加一是位于所述相邻栅极线结构之间的所述沟道结构的行的第二数量的一半。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励