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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十研究所申请的专利用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411910418.6，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构是由朱勇;张睿;陆宇;钟慧;李邦翊设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构在说明书摘要公布了：本发明涉及射频微波技术领域，具体公开了一种用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构，包括由上至下层叠设置的基板、BGA、封装结构、热界面层、金属安装基座；在封装结构内设置有TXV类同轴射频传输结构、与TXV类同轴射频传输结构连接的射频传输线；在金属安装基座内设置有与TXV类同轴射频传输结构接触配合的弹性接触类同轴射频传输结构；弹性接触类同轴射频传输结构的另外一端穿过金属安装基座与天线射频端口、后端射频发射激励或射频接收机端口连接。本发明有效地减小射频连接环节，大幅度降低插入损耗，增大回波损耗，提高信号传输性能，并增大多组封装结构的散热能力。

本发明授权用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构在权利要求书中公布了：1.一种用于SiP封装射频阵列直连端口的高容差垂直互联结构，其特征在于，包括由上至下层叠设置的基板、BGA、封装结构、热界面层、金属安装基座； 在所述封装结构内设置有TXV类同轴射频传输结构、与TXV类同轴射频传输结构连接的射频传输线； 在所述金属安装基座内设置有与TXV类同轴射频传输结构接触配合的弹性接触类同轴射频传输结构； 所述弹性接触类同轴射频传输结构的另外一端穿过金属安装基座与天线射频端口、后端射频发射激励或射频接收机端口连接； 所述TXV类同轴射频传输结构的另外一端通过BGA焊接在基板上； 所述TXV类同轴射频传输结构为TGV类同轴射频传输结构、TCV类同轴射频传输结构或TSV类同轴射频传输结构； 所述TXV类同轴射频传输结构与射频传输线连接,包括TXV内导体孔、多组环绕在TXV内导体孔外侧且与TXV内导体孔之间形成间隙的TXV外导体孔、设置在TXV内导体孔靠近基板一端的内导体孔焊盘一、设置在TXV内导体孔远离基板一端的内导体孔焊盘二、设置在TXV外导体孔靠近基板一端的接地导体一、设置在TXV外导体孔远离基板一端的接地导体二；所述接地导体一与内导体孔焊盘一之间形成内外导体孔间隙一、所述接地导体二与内导体孔焊盘二之间形成内外导体孔间隙二；所述TXV内导体孔、TXV外导体孔构成类同轴结构； 所述弹性接触类同轴射频传输结构包括与内导体孔焊盘二接触配合的内导体柱、多组环绕在内导体柱外侧且构成类同轴结构的外导体柱；所述外导体柱与接地导体二接触配合； 所述内导体孔焊盘二的直径为d04，d04＝d05-0.15mm-S20； 其中，d05为TXV外导体孔中心所在圆环的直径；S20为内外导体孔间隙二的尺寸，S20＝0.3mm～0.5mm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十研究所，其通讯地址为：610000 四川省成都市金牛区茶店子东街48号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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