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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种基于微纳可形变结构的椭偏仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119779997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411910425.6，技术领域涉及：G01N21/21；该发明授权一种基于微纳可形变结构的椭偏仪是由李家方;焦青亮设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于微纳可形变结构的椭偏仪在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于微纳可形变结构的椭偏仪，基于微纳可形变结构的超表面不仅可以将椭偏仪缩小至亚像素级别，且当微纳可形变结构在空间中大量集成，可以以成像的形式获得整个被测材料的被测面的参数，突破传统椭偏仪仅能单点测量的局限性；也就是说，本发明可以以成像的形式进行二维测量、突破传统椭偏仪单点测量的缺陷，极大的缩小了椭偏仪的片上尺寸，将其体积缩小至单像素级别；本发明可以与不同的光学透镜组结合，以成像的形式探测整个薄膜的光学性质与均匀性，突破了传统微型椭偏仪单点探测的弊端；本发明基于总变分的全斯托克斯偏振向量重建模型，通过对迭代内数据施加约束，使得运算结果更加稳定且易收敛。

本发明授权一种基于微纳可形变结构的椭偏仪在权利要求书中公布了：1.一种基于微纳可形变结构的椭偏仪，其特征在于，包括由多个微纳可形变结构组成的椭偏芯片101、光电传感器102、动态控制电路103、上位机104、成像透镜组106以及光源107；其中，光电传感器102上每个像素点对应n2个微纳可形变结构，其中，n为像素边长相对于微纳可形变结构周期的倍数；动态控制电路103用于控制椭偏芯片101上各微纳可形变结构的偏置电压，其中，偏置电压不同，各微纳可形变结构对应的光谱响应不同；任意一个微纳可形变结构包括顶层、支撑层以及基底层；其中，顶层为包含镂空二维图案的金膜，且金膜和基底层分别作为加载电压的正电极和负电极； 光源107发出的线偏振光入射至待测样品105；线偏振光从待测样品105处的透射光或者反射光作为椭圆偏振光再入射至成像透镜组106；成像透镜组106对椭圆偏振光进行准直，准直偏振光入射至椭偏芯片101；准直偏振光与不同偏置电压下的椭偏芯片101对应的不同光谱响应进行耦合，得到不同的耦合偏振光；不同的耦合偏振光依次入射至光电传感器102进行成像；上位机104根据光电传感器102的各成像结果获取椭圆偏振光的振幅比Ψ和相位差； 上位机104根据光电传感器102的各成像结果获取椭圆偏振光的振幅比Ψ和相位差的方法具体为： 其中，为椭圆偏振光的全斯托克斯偏振向量，为椭圆偏振光的光强，为椭圆偏振光在水平线偏振分量和垂直线偏振分量之间的强度差，为椭圆偏振光的45°线偏振分量和135°线偏振分量之间的强度差，为椭圆偏振光的右旋圆偏振分量和左旋圆偏振分量之间的强度差； 椭圆偏振光的全斯托克斯偏振向量的计算方法为： 构建能量函数如下： 其中，μ为设定的正则化参数；t表示迭代次数；为第t次迭代时得到的全斯托克斯偏振向量；为第t-1次迭代时得到的全斯托克斯偏振向量；为N×1的列向量，N为偏置电压的种数，则的每一个元素代表光电传感器102在不同偏置电压下的椭偏芯片101处采集到的耦合偏振光的光强度；为N×4的矩阵，每一行的元素为不同偏置电压下的椭偏芯片101所对应的穆勒矩阵的第一行元素，其中，穆勒矩阵中第一行第一个元素代表准直偏振光总强度与耦合偏振光总强度之间的比例关系；第一行第二个元素表示当准直偏振光为水平偏振光时，耦合偏振光中的水平偏振分量与垂直偏振分量强度之差与准直偏振光中的水平偏振分量强度的比值；第一行第三个元素表示当准直偏振光为水平偏振光时，耦合偏振光中的水平偏振分量与45°偏振分量强度之差与准直偏振光的水平偏振分量强度的比值；第一行第四个元素表示当准直偏振光为水平偏振光时，耦合偏振光中的水平偏振分量与左旋圆偏振分量强度之差与准直偏振光的水平偏振分量强度的比值； 以S0=0作为初始值，采用梯度下降法或者增广拉格朗日法迭代求解能量函数，当相邻两次迭代之间的和之间的差值小于设定阈值时，将作为最终的全斯托克斯偏振向量S。

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