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龙图腾网获悉电子科技大学(深圳)高等研究院;中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种RF MEMS开关的太赫兹可编程超表面单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764834B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411701196.7，技术领域涉及：H01Q3/34；该发明授权一种RF MEMS开关的太赫兹可编程超表面单元是由杨军;马智超;张乃柏;郭秋泉;黄建明;汪春霆设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种RF MEMS开关的太赫兹可编程超表面单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种RFMEMS开关的太赫兹可编程超表面单元，属于通信技术领域，包括：第二衬底；正极控制线；背覆地；第一衬底；直流接地柱；上贴片；信号线；RFMEMS开关；直流偏置线结构。通过直流电压变化来控制开关的断开与导通，实现超表面单元180°反射相位差，本发明达到了技术效果：1180°反射相位差工作带宽大，在285GHz到320GHz，反射相位差范围在172°到193°；2反射相位高线性度，在285GHz到320GHz，开关down态时的反射相位范围在117°到52°，开关up态时的反射相位范围在‑53°到‑129°；3加工工艺要求低，开关的第二层锚点和下电极分别采用偏置线相连，减少电极打孔数量；4偏置线部分使用金属，减小偏置线的分压，降低驱动电压。

本发明授权一种RF MEMS开关的太赫兹可编程超表面单元在权利要求书中公布了：1.一种RFMEMS开关的太赫兹可编程超表面单元，其特征在于，包括： 第二衬底16，其横截面为正方形，边长为亚波长尺度； 正极控制线18，位于所述第二衬底16下表面，与直流正极柱13连接； 背覆地15，位于所述第二衬底16上表面； 第一衬底14，位于所述背覆地15上表面； 直流接地柱12，穿过所述第一衬底14，长度和所述第一衬底14厚度相同； 直流正极柱13，其长度相等于所述第一衬底14、背覆地15以及第二衬底16厚度之和，且穿过三者；直流接地柱12和直流正极柱13相互平行，均位于第一衬底14的对称线上； 上贴片7设有两组，均位于所述第一衬底14上表面，两组上贴片7对称分布在所述直流正极柱13两侧； 信号线8，位于所述第一衬底14上表面，且居于两组上贴片7之间，并与两组上贴片7相接； RFMEMS开关，位于所述信号线8的上方； 所述RFMEMS开关包括下电极6，第二层锚点5，电极介质层4，第一层锚点3，上金属电极2，信号桥17和裙边梁1； 所述下电极6设有两个，均形成于所述第一衬底14上，且分别位于所述信号线8两端，每一下电极的边长大于所述直流接地柱12直径； 所述第二层锚点5设有两个，均形成于所述第一衬底14上，且分别位于两个下电极6的外侧，两个第二层锚点5的边长等于所述直流正极柱13直径； 所述第一层锚点3设有两个，分别位于对应第二层锚点5的顶部； 所述上金属电极2设有两个，分别安装在对应第一层锚点3的顶部，两个上金属电极2相向延伸，且两者之间具有间距； 所述信号桥17位于两个上金属电极2之间，由裙边梁1支撑； 所述裙边梁1，形成于两个上金属电极2上，且包覆所述上金属电极2和所述信号桥17，并且将所述上金属电极2和所述信号桥17分离，其上有释放孔，用于牺牲层释放和减小下压阻尼； 所述信号桥17，位于所述信号线8正上方，和所述上金属电极2在同一层面，用于连接或断开所述信号线8，其下方有两个圆形触点； 所述RFMEMS开关还包括直流偏置线结构，直流偏置线结构包括非金属偏置线11、上电极金属偏置线10、下电极金属偏置线9； 所述非金属偏置线设有两条，分别对应上电极和下电极； 其中一下电极与直流接地柱12连接，两个下电极依次通过下电极金属偏置线a、非金属偏置线a和下电极金属偏置线b连接； 其中一第二层锚点5与直流正极柱连接；两个第二层锚点5通过上电极金属偏置线a、非金属偏置线b和上电极金属偏置线b连接。

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