松诺盟科技有限公司范敏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉松诺盟科技有限公司申请的专利齐平膜芯体及其制备方法和应用、压力变送器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119618434B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510167785.X，技术领域涉及：G01L1/22；该发明授权齐平膜芯体及其制备方法和应用、压力变送器是由范敏;雷卫武设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本齐平膜芯体及其制备方法和应用、压力变送器在说明书摘要公布了：本发明属于压力传感器技术领域，具体涉及一种齐平膜芯体及其制备方法和应用、压力变送器。所述齐平膜芯体包括钢基和齐平膜；其中，所述齐平膜包括复合应变层；所述复合应变层包括依次层叠的第一应变层、第二应变层、第三应变层和第四应变层各层之间相互协同配合感应来自各个方向的压力，从而提高齐平膜芯体应变灵敏度。本发明提供的含齐平膜芯体的压力变送器，具备很高的过载能力，使其能够在恶劣的工作环境中保持稳定的性能，提供准确的压力数据。
本发明授权齐平膜芯体及其制备方法和应用、压力变送器在权利要求书中公布了：1.一种齐平膜芯体，包括钢基和齐平膜；其特征在于，所述齐平膜包括复合应变层； 所述复合应变层包括依次层叠的第一应变层、第二应变层、第三应变层和第四应变层； 所述第一应变层的材料包括SiGeSnN； 所述第二应变层的材料包括SiGeSnNiN； 所述第三应变层的材料包括SiGeSnNiCrInN； 所述第四应变层的材料包括SiGeNiCrInGaN； 所述第二应变层的材料包括如下原子百分含量的元素： Si：27%~35%、Ge：28%~37%、Sn：18%~25%、Ni：15%~22%、N：3%~8%； 所述第三应变层的材料包括如下原子百分含量的元素：Si：19%~25%、Ge：21%~28%、Sn：23%~29%、Ni：17%~21%、Cr：8%~14%、In：3%~8%、N：1%~2%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人松诺盟科技有限公司，其通讯地址为：410329 湖南省长沙市浏阳经济技术开发区湘台路18号长沙E中心A5栋3、4层01、02号房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励