买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山东博通微电子有限公司申请的专利一种半导体测试管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411599475.7，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种半导体测试管理系统是由宋奇;孔令均设计研发完成，并于2024-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试管理系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体测试管理系统，涉及半导体测试技术领域，解决了缺少在晶元生产的不同阶段对性能的检测和评估，难以及时在生产阶段检测晶圆是否存在性能异常的技术问题；通过节点预警模块根据各个节点的半导体晶圆的阶段性能评估系数，对出现阶段性能异常的半导体晶圆进行阶段性预警，并分析半导体晶圆的综合性能系数，对不符合标准的半导体晶圆进行预警；通过实时监测和分析阶段性能系数，快速识别出不符合标准的半导体晶圆，提前采取措施，避免后续工艺中产生更大损失。通过在生产阶段检测晶圆是否存在性能异常，可以合理调配资源，对有问题的晶圆进行集中处理或重新评估，而不是浪费时间和材料在可能失败的产品上。

本发明授权一种半导体测试管理系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试管理系统，其特征在于，包括： 信息管理模块：用于获取并存储生成的半导体晶元的基本信息，包括：材质类型、尺寸、掺杂类型、掺杂浓度、晶体结构和性能标准，将半导体晶元的生产过程设置检测节点，包括：光刻节点、蚀刻节点、离子注入节点和薄膜沉积节点； 测试数据采集模块：对于光刻节点和蚀刻节点，分别检测光刻后和蚀刻后的三维点云数据，对于离子注入节点，采集进行离子注入后的半导体晶元的X射线荧光光谱图和傅里叶变换红外光谱图，对于薄膜沉积节点，通过测试机台采集薄膜沉积后的半导体晶圆的电性测试数据、三维点云数据和沉积薄膜厚度数据，并对各个节点采集的数据设置基本信息标签； 智能调度模块：用于检测当前节点测试机台的使用状态，根据当前测试机台状态，以及半导体晶元的基本信息，为薄膜沉积节点的半导体晶圆匹配的测试机台进行薄膜沉积后半导体晶圆的测试； 数据分析模块：根据测试数据采集模块采集的各个节点的检测数据，分析各个节点的半导体晶圆的阶段性能评估系数； 节点预警模块：用于根据各个节点的半导体晶圆的阶段性能评估系数，对出现阶段性能异常的半导体晶圆进行阶段性预警，并分析半导体晶圆的综合性能系数，对不符合标准的半导体晶圆进行预警； 其中，所述测试数据采集模块对于薄膜沉积节点，通过测试机台采集薄膜沉积后的半导体晶圆的电性测试数据、三维点云数据和沉积薄膜厚度数据，包括以下步骤： 对于薄膜沉积节点，根据半导体晶圆的基本信息标签中的半导体晶圆的材质类型数据，将半导体晶圆分类为固定检测温度类半导体晶圆和自设置检测温度类半导体晶圆，其中，固定检测温度类半导体晶圆，包括：单晶硅半导体晶圆、砷化镓半导体晶圆、氮化镓半导体晶圆和硅碳化物半导体晶圆； 对于固定检测温度类半导体晶圆，为固定检测温度类半导体晶圆设置高温检测温度、中温检测温度和低温检测温度； 对于自设置检测温度类半导体晶圆，手动输入自设置检测温度类半导体晶圆的测试温度； 在不同检测温度下，通过测试机台采集封装后的半导体晶圆的电性测试数据、表面高清图像和红外检测图像，其中，电性测试数据包括；阈值电压、漏电流、饱和电流和导电率； 所述数据分析模块根据测试数据采集模块采集的各个节点的检测数据，分析各个节点的半导体晶圆的阶段性能评估系数，包括以下步骤： 对于光刻节点和蚀刻节点，获取光刻后和蚀刻后的三维点云数据； 通过晶元光刻工艺完成后的三维点云数据，检测光刻节点晶元的光刻图案与预设光刻图案是否一致，若一致，则光刻节点检测合格，若不一致，则光刻节点检测不合格，对应编码的晶元生成质量预警信号； 通过晶元蚀刻工艺完成后的三维点云数据，检测蚀刻节点的晶元的蚀刻位置的深度和形状是否符合预设的蚀刻的深度和形状，若一致，则蚀刻节点检测合格，若不一致，则蚀刻节点检测不合格，对应编码的晶元生成质量预警信号； 对于离子注入节点，根据离子注入后的半导体晶元的X射线荧光光谱图和傅里叶变换红外光谱图，分析半导体晶圆的离子注入阶段性能评估系数； 对于薄膜沉积节点，获取测试机台采集薄膜沉积后的半导体晶圆的电性测试数据、三维点云数据和沉积薄膜厚度数据，检测对应半导体晶圆在节点是否检测合格，在检测不合格的节点，对应编码的晶元生成质量预警信号；对应半导体晶圆在节点检测合格，则分析半导体晶圆的薄膜沉积阶段性能评估系数； 根据离子注入后的半导体晶元的X射线荧光光谱图和傅里叶变换红外光谱图，分析半导体晶圆的离子注入阶段性能评估系数，包括以下步骤： 获取离子注入后的半导体晶元的X射线荧光光谱图和傅里叶变换红外光谱图； 通过晶元的基本信息标签，提取晶元的掺杂类型和掺杂浓度数据； 获取历史数据中，掺杂类型为n型掺杂晶元和p型掺杂晶元的傅里叶变换红外光谱图，并对n型掺杂晶元和p型掺杂晶元的傅里叶变换红外光谱图吸收峰的位置、宽度和频率范围进行标注； 通过标注后的傅里叶变换红外光谱图训练深度学习模型，识别晶元的掺杂类型； 通过将离子注入节点实时采集的傅里叶变换红外光谱图输入训练后的深度学习模型，识别晶元为n型掺杂晶元或p型掺杂晶元； 根据半导体晶元的X射线荧光光谱图，提取X射线荧光光谱图中的特征峰，并计算X射线荧光光谱图中的特征峰的面积和，作为特征峰强度； 选择待测半导体晶元同种掺杂类型的若干组晶元，获取若干组晶元的实际掺杂浓度数据，并检测若干组晶元的特征峰强度； 通过以下公式，计算半导体晶圆的离子注入阶段性能评估系数： ； ； 其中：α为半导体晶圆的离子注入阶段性能评估系数，Cstd为提取晶元的标准的掺杂浓度数据，Csample为半导体晶圆的离子注入阶段的掺杂浓度，Ci为第i组晶元的实际掺杂浓度的均值，Isample为半导体晶圆的离子注入阶段的特征峰强度，Ii为第i组晶元，X射线荧光光谱图的特征峰强度的均值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东博通微电子有限公司，其通讯地址为：273100 山东省济宁市曲阜市信息路6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。