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龙图腾网获悉上海新昇半导体科技有限公司申请的专利晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119567443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410867826.1，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法是由周虹设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法，晶圆翘曲形貌的表征方法包括：获取晶棒线切割后晶圆翘曲形貌的原始数据；基于原始数据中晶圆的整体翘曲形貌，选取晶圆各若干径向在第一至第三半径范围的翘曲数据，并分别提取第一至第三半径范围内的翘曲数据的图形特征以得到对应的第一信息码，其中，第二半径范围在径向位于第一半径范围和第三半径范围之间且位于晶圆的中间区域；将晶圆同一径向在第一至第三半径范围的第一信息码依次组合得到对应径向的第二信息码，及将晶圆的至少两个径向的第二信息码依次组合得到晶圆的第三信息码。本发明中可用于直观地表示晶棒线切后的翘曲形貌并便于识别及判定晶圆的翘曲形貌。

本发明授权晶圆翘曲形貌、晶棒线切形貌的表征方法及评价方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆翘曲形貌的表征方法，其特征在于，包括： 获取晶棒线切割后晶圆翘曲形貌的原始数据，其包括晶圆不同径向不同半径的翘曲数据； 基于所述原始数据中晶圆的整体翘曲形貌，选取所述晶圆各若干径向在第一半径范围、第二半径范围及第三半径范围的翘曲数据，并分别提取第一半径范围、第二半径范围及第三半径范围内的翘曲数据的图形特征以得到对应的第一信息码；其中，所述第二半径范围在径向位于所述第一半径范围和所述第三半径范围之间且位于所述晶圆的中间区域；以晶圆的中心为原点、以对应径向的半径为横坐标建立坐标系，所述第一半径范围位于坐标系的负半轴且包括晶圆的一侧边缘，所述第三半径范围位于坐标系的正半轴且包括晶圆的另一侧边缘，所述第二半径范围包括原点及其两侧的部分半径； 将所述晶圆同一径向在所述第一半径范围、第二半径范围及第三半径范围的第一信息码依次组合得到对应径向的第二信息码，及将所述晶圆的至少两个径向的第二信息码依次组合得到所述晶圆的第三信息码，用于表征晶圆的翘曲形貌； 提取所述第一、第二及第三半径范围内的翘曲数据的图形特征以得到对应的第一信息码的步骤包括： 以晶圆的中心为原点、以对应径向的半径为横坐标及以晶圆表面的高度为纵坐标建立坐标系，形成晶圆一个径向的翘曲形貌曲线，其中，所述纵坐标以晶圆表面的理想高度为中心； 取晶圆在对应半径范围内绝对值最大的纵坐标作为对应半径范围的第一信息码。

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