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龙图腾网获悉中国地质大学(武汉)申请的专利一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510035332.1，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法是由张晶;王姚;黄田野;王辰;董渊;丁子毅;黄永康设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体器件制造技术领域，具体公开了一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法，包括：将半导体芯光纤按照目标加热温度进行加热，并控制光纤冷却时的冷却速率，加热过程及冷却速率与光纤加热时施加在纤芯及相关半导体三维微纳结构上的应力具有对应关系，该应力能够用于调谐半导体三维微纳结构带隙；其中，在目标加热温度高于纤芯的熔点的情况下，对光纤进行局部加热，以对纤芯施加压缩可控应力使纤芯形成半导体三维微纳结构，并调谐其带隙结构；在目标加热温度低于纤芯的熔点的情况下，对光纤进行整体加热，使半导体三维微纳结构重结晶，利用重结晶结构与原结构的体积差异，对半导体三维微纳结构施加拉伸应力，并调谐其带隙结构。

本发明授权一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带隙可调谐的半导体三维微纳结构制备方法，其特征在于，包括： 将半导体芯光纤按照目标加热温度进行加热，并控制光纤冷却时的冷却速率，加热过程及冷却速率与施加在纤芯及光纤内半导体三维微纳结构上的应力具有对应关系，冷却速率越快应力越大，应力能够调谐半导体三维微纳结构带隙；所述半导体芯光纤包括纤芯和包层； 其中，在目标加热温度高于纤芯的熔点的情况下，对光纤进行局部加热，以对纤芯施加压缩应力使纤芯形成半导体三维微纳结构；在目标加热温度低于纤芯的熔点的情况下，对光纤进行整体加热，使半导体三维微纳结构重结晶，利用重结晶结构与原结构的体积差异，对半导体三维微纳结构施加拉伸应力，并调谐带隙结构； 所述将半导体芯光纤按照目标加热温度进行加热，并控制光纤冷却时的冷却速率，包括：在目标加热温度高于纤芯的熔点的情况下，通过第一加热源对目标区域进行加热，加热过程中光纤各处按照目标移动速度进入并离开目标区域，以使纤芯形成半导体三维微纳结构，目标区域与光纤位于同一水平面，目标加热温度具体为目标区域的中心的温度，目标区域的中心的温度高于光纤的纤芯的熔点，光纤在离开目标区域的过程中具有第一冷却速率；在冷却过程中，由于纤芯的反常膨胀特性，其体积开始增大，从而受到周围包层的限制和压缩，这种体积不匹配导致半导体纤芯材料内部产生压缩应力； 所述将半导体芯光纤按照目标加热温度进行加热，并控制光纤冷却时的冷却速率，还包括：在目标加热温度低于纤芯的熔点的情况下，通过第二加热源对经第一加热源处理后的光纤进行整体加热，以使光纤中的半导体三维微纳结构进行重结晶，第二加热源为光纤提供的目标加热温度低于纤芯的熔点，整体加热过程包括从预设温度升温至目标加热温度的升温阶段、保温阶段和从目标加热温度降温至预设温度的降温阶段，降温阶段具有第二冷却速率；光纤在加热和冷却过程中，由于温度梯度的分布，半导体纤芯晶体开始重结晶；在晶体生长的过程中，新的晶体取向逐渐形成，内部的缺陷会被消除或减少，内部结构开始重新排列，形成更加紧密和有序的晶体结构，从而导致晶体体积的缩小；随着半导体纤芯材料体积的收缩，包层材料却几乎不发生膨胀和收缩，其体积变化不大；这种体积不匹配导致半导体纤芯材料内部产生拉伸应力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国地质大学(武汉)，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市鲁磨路338号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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