买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖北大学;广州华瑞升阳投资有限公司申请的专利一种氧化物单晶厚膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119507035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411552802.3，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种氧化物单晶厚膜的制备方法是由何云斌;陈旭阳;秦华垚;卢寅梅;黎明锴;陈剑;许明耀;尹向阳;刘伟;邓云设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化物单晶厚膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化物单晶厚膜的制备方法，包括：将金属源前驱体转移至真空生长设备金属源区的坩埚内，同时将衬底放置于真空生长设备生长区的衬底托上；对真空生长设备进行抽真空处理，并将金属源区和生长区均由室温开始加热升温；对真空生长设备内充入惰性气体，并将生长区继续加热至900℃～1400℃，同时将金属源区继续加热至1100℃～1500℃；保持金属源区和生长区的温度不变，向真空生长设备内通入载气与反应气体，载气将金属源前驱体受热后反应形成的金属亚氧化物定向输送至衬底表面，反应气体与金属亚氧化物在衬底表面充分混合反应生长氧化物单晶厚膜。本发明的制备方法简单价廉，适合大规模批量生产。

本发明授权一种氧化物单晶厚膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物单晶厚膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括： S10，将金属源前驱体转移至真空生长设备中金属源区的坩埚内，同时将衬底放置于所述真空生长设备中生长区的衬底托上； S20，对所述真空生长设备进行抽真空处理，并将所述金属源区以及所述生长区均由室温开始加热升温； S30，对所述真空生长设备内充入惰性气体，并将所述生长区继续加热升温至900℃~1400℃，同时将所述金属源区继续加热升温至1100℃~1500℃； S40，保持所述金属源区以及所述生长区温度不变，向所述真空生长设备内通入载气与反应气体，所述载气将所述金属源前驱体受热后反应形成的金属亚氧化物定向输送至所述衬底表面，与所述反应气体充分混合，并在所述衬底表面反应生长氧化物单晶厚膜，所述氧化物单晶厚膜为所述金属亚氧化物完全氧化形成的稳定相氧化物； 其中，所述S10步骤中，所述金属源前驱体为与待生长的所述氧化物单晶厚膜同质的金属氧化物粉末和其对应的金属单质颗粒组成的均匀混合物，所述金属源前驱体中所述金属氧化物粉末与所述金属单质颗粒的摩尔比为1:1~6；所述金属单质颗粒的材料为Ga、Sn或In中的任意一种，所述金属氧化物粉末的材料为Ga2O3、SnO2或In2O3中的任意一种； 所述S30步骤和所述S40步骤中，所述载气与惰性气体均为Ar以及N2中的至少一种，所述反应气体为CO2，通入所述真空生长设备内的所述载气与所述反应气体的流量比为4:1~5； 所述真空生长设备包括用于构建晶体生长所需腔室的外管以及用于保护所述金属源前驱体不被氧化的内管，所述内管的外壁与所述外管的内壁形成夹层；所述内管包括用于承载所述金属源前驱体的坩埚以及与所述坩埚连接的导流管，所述导流管靠近衬底托的一侧设置有输出口，所述输出口位于所述生长区且与所述衬底托同轴心相对。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北大学;广州华瑞升阳投资有限公司，其通讯地址为：430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。