昆明理工大学徐旭辉获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119505886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411614159.2，技术领域涉及：C09K11/64；该发明授权一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用是由徐旭辉;张梓怡;李卓为;田旭;牟德单;王东鹏设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Ni2+2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用，属于荧光材料技术领域。本发明Ni2+2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉的化学通式为：LiMg22Al99O1616:xNi2+2+，其中0.01≤x≤0.05；所述荧光粉基质具有尖晶石结构，所述荧光粉在波长为250～750nm可见光激发下，发射峰值位于900～1600nm的短波近红外光，发射光谱的半峰宽为200～250nm。由于LiMg22Al99O1616的尖晶石结构中含有约3％的Mg′AlAl和Al·MgMg反位缺陷，形成[Mg‑O]66和[Al‑O]66两个八面体格位，在370nm激发下可产生中心波长为1180nm，半峰宽为210nm的超宽带Ni2+2+近红外发射。该荧光粉具有合成简便、热稳定性好、所需能耗低等优点，可解决现有技术稳定性差，合成条件复杂的问题。
本发明授权一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种Ni2+掺杂的宽带短波近红外荧光粉，其特征在于：化学通式为：LiMg2Al9O16:xNi2+，其中0.01≤x≤0.05；所述荧光粉基质具有尖晶石结构，所述荧光粉在波长为250～750nm可见光激发下，发射峰值位于900～1600nm的短波近红外光，发射光谱的半峰宽为200～250nm。
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