中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司单立冬获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311030766.X，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体结构的形成方法是由单立冬;仝海跃设计研发完成，并于2023-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，包括隔离区和器件区；形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构；形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内；获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况；若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况；根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，对所述晶圆进行激光退火处理，使所述第二层结构和第一层结构恢复电连接。所述方法使得半导体结构的应力情况得到改善。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括隔离区和器件区，所述隔离区和器件区沿平行于晶圆表面的第一方向分布； 形成位于器件区上的器件结构，所述器件结构包括第一层结构和位于第一层结构上的第二层结构； 形成位于晶圆上的隔离结构，所述隔离结构位于隔离区上，以及位于器件区器件结构之外的区域上，所述器件结构位于所述隔离结构内； 获取所述第二层结构和第一层结构是否发生电失效的情况； 若所述第二层结构和第一层结构电失效，则获取所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况包括：偏移程度和偏移方向； 根据所述第二层结构和第一层结构在第一方向上的偏移情况，调整激光退火处理中激光的角度，对所述晶圆进行激光退火处理，使所述第二层结构和第一层结构恢复电连接。
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