厦门大学王懿锋获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411346806.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法是由王懿锋;杨伟锋设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法，依次包括：衬底、沟道层、间隔层、δ掺杂层和势垒层，还包括：第一欧姆接触区，设置在间隔层、δ掺杂层和势垒层端面一侧；第二欧姆接触区，设置在间隔层、δ掺杂层和势垒层端面另一侧；第一欧姆接触区和第二欧姆接触区的高度高于势垒层的上表面；PN结结构，设置在势垒层上的部分表面；介质层结构，横跨设置在势垒层、PN结结构、第一欧姆接触区和第二欧姆接触区上方；源电极，设置在第一欧姆接触区上；漏电极，设置在第二欧姆接触区上；栅电极，设置在PN结结构和介质层结构上，栅电极上端向位于PN结结构上方的介质层结构两端延伸形成场板结构。本发明能提高器件可靠性。
本发明授权一种PN结栅氧化镓基MODFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PN结栅氧化镓基MODFET器件，其特征在于，由下至上依次包括：衬底、沟道层、间隔层、δ掺杂层和势垒层，还包括： 第一欧姆接触区，设置在所述间隔层、δ掺杂层和势垒层端面一侧； 第二欧姆接触区，设置在所述间隔层、δ掺杂层和势垒层端面另一侧；所述第一欧姆接触区和第二欧姆接触区的高度高于势垒层的上表面； PN结结构，设置在所述势垒层上的部分表面； 介质层结构，横跨设置在所述势垒层、PN结结构、第一欧姆接触区和第二欧姆接触区上方； 源电极，设置在所述第一欧姆接触区上； 漏电极，设置在所述第二欧姆接触区上； 栅电极，设置在PN结结构和介质层结构上，所述栅电极上端的金属向位于PN结结构上方的介质层结构两端延伸形成场板结构。
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