北京大学;北京知识产权运营管理有限公司吴恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学;北京知识产权运营管理有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364884B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411372588.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备是由吴恒;葛延栋;王润声;黎明;张丽杰;周发龙;黄如设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该半导体结构包括在第一方向上堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构为互补金属氧化物半导体CMOS，第二半导体结构为CMOS图像传感器；该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一半导体结构；第一半导体结构包括第一极性的第一晶体管和第二极性的第二晶体管；倒片并减薄衬底，直至暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二半导体结构；第二半导体结构包括第一极性的第三晶体管和图像传感器单元；第三晶体管和图像传感器单元在第二方向上并排设置。
本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括在第一方向上堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构为互补金属氧化物半导体CMOS，所述第二半导体结构为CMOS图像传感器；所述方法包括： 在衬底上形成有源结构；所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构； 基于所述第一有源结构，形成所述第一半导体结构；所述第一半导体结构包括第一极性的第一晶体管和第二极性的第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管在第二方向上并排设置；所述第二方向垂直于所述第一方向； 倒片并减薄所述衬底，直至暴露所述第二有源结构； 基于所述第二有源结构，形成第二半导体结构；所述第二半导体结构包括第一极性的第三晶体管和图像传感器单元；所述第三晶体管和所述图像传感器单元在所述第二方向上并排设置。
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