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龙图腾网获悉华东师范大学申请的专利一种高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119361645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411500116.1，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒及其制备方法是由张哲娟;刘淳正;陈果;吴成阳;孙卓设计研发完成，并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及碳复合材料技术领域，具体地说是一种高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒及其制备方法。所述的凹型多孔硅碳颗粒表面设有部分表面凹陷，形成边界连续且呈弧状的硅碎屑和碳纳米材料的交联体。同现有技术相比，颗粒中纳米碳材料为有序结构，提高硅碳颗粒的内部导电和离子传输能力，同时还可作为缓冲结构吸收硅膨胀应力，避免硅碳颗粒的开裂，也避免了负极的开裂和脱落。

本发明授权一种高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用作锂离子电池负极材料的高离子传导率的凹型多孔硅碳颗粒，其特征在于：所述的凹型多孔硅碳颗粒表面设有部分表面凹陷1-1，形成边界连续且呈弧状的硅碎屑1-2和碳纳米材料1-3的交联体； 其制备方法，包括如下步骤： S1，将改性剂、表面修饰溶剂与硅粉末混合搅拌、干燥，得到表面改性的硅粉末； S2，将表面改性的硅粉末、水溶性碳源、可溶性无机盐和羧基化碳纳米材料加入到酸性水溶液混合均匀； S3，混合后的溶液通过喷雾干燥机制备出微米级的硅碳二次颗粒，在惰性气体的保护下，硅碳二次颗粒在真空炉中进行高温烧结，并冷却到室温； S4：高温烧结后产物通过洗涤去除可溶性无机盐，在真空下进行低温干燥，得到最终产物； 所述的步骤S1中，改性剂选用有机硅氧烷、聚醚改性亲水性水溶性硅油、PVP亲水溶剂中的一种； 所述的表面修饰溶剂选用硅烷偶联剂、钛酸酯、硬脂酸中的一种；硅烷偶联剂包括氨基、环氧基、乙烯基中的一种； 所述的步骤S2中，水溶性碳源选用水性聚氨酯树脂溶液、水溶性聚乙二醇溶液、甲基纤维素溶液中的一种；羧基化碳纳米材料选用羧基化碳纳米管、羧基化石墨烯、羧基化碳纳米纤维中的一种及以上； 所述的可溶性无机盐包括能够在100℃下结晶且溶于水的钾盐、钠盐、铵盐中的一种或多种； 所述的步骤S3中，惰性气体选用氮气、氩气中的一种，烧结温度为800-900℃，保温时间为0.5-1.5小时。

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