昆明理工大学李绍元获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119306222B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411443516.3，技术领域涉及：C01B33/021；该发明授权一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法及应用是由李绍元;申辽;陆继军;马文会;蒋志桃;席风硕;童仲秋;魏奎先设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法及应用，属于锂离子电池技术领域。本发明利用光伏硅废料为原材料，金属盐作为催化剂，二者相互混合附着在碳基底上，通过焦耳热冲击使得硅废料液化后在基底上原位生长为非晶硅纳米线材料。所制备的非晶硅纳米线材料直接用作锂离子电池负极，具有出色的首次库伦效率及循环稳定性。本发明的方案为短程快速、绿色高效制备非晶硅纳米线材料提供了新方法，为光伏硅切割废料的高值化利用提供了新思路，易于实现产业化。
本发明授权一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种利用金属盐混合硅废料制备非晶硅纳米线材料的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤： 1将金属盐溶于溶剂中得到溶液Ⅰ； 2将硅废料加入步骤1得到的溶液Ⅰ中，超声分散后搅拌，获得金属盐和硅废料的混合浆料； 3将碳基底充分浸润在步骤2得到的混合浆料中，取出进行真空干燥，得到附着金属盐和硅废料的碳基底； 4将步骤3得到的附着金属盐和硅废料的碳基底装载于焦耳热冲击设备反应台上，开启电源，反应后得到碳基底上生长的非晶硅纳米线材料； 步骤1中，所述金属盐为硫酸铜、硝酸银、硝酸铁、硝酸镍、硝酸钴或硝酸锰中的一种；其中溶液Ⅰ中金属盐的质量百分比为0.5%~10%； 步骤4中，所述焦耳热冲击设备反应温度为1000~3000℃，反应时间为0.5~5s。
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