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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411410843.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由谢炜;罗成志设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、功率模块、功率转换电路和车辆。该半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括阱区和第一区域；第一表面还设置有第一沟槽和第二沟槽；耐压层位于第二沟槽内，且耐压层覆盖第一沟槽的第一底部和第二侧壁；栅极结构，位于第一沟槽内；耐压层的绝缘电阻大于栅极结构的绝缘层的绝缘电阻，耐压层用于降低栅极结构底部的峰值电场；源极，位于第一表面。本发明实施例提供的技术方案，降低了半导体器件的比导通电阻和栅极结构底部的峰值电场，进而提升半导体器件的电学性能。

本发明授权半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；所述半导体本体还包括阱区和第一区域；所述第一区域设置于所述第一表面，所述阱区设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第一表面还设置有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽设置于所述第一表面，所述第二沟槽和所述第一沟槽连通，所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第二表面之间；所述第一区域的导电类型和所述阱区的导电类型相同相反；所述第一沟槽包括相对设置的第一侧壁和第二侧壁；所述第二沟槽包括相对设置的第三侧壁和第四侧壁；所述第一侧壁指向所述第二侧壁的方向和所述第三侧壁指向所述第四侧壁的方向平行； 耐压层，位于所述第二沟槽内，且所述耐压层覆盖所述第二沟槽和所述第一沟槽相接的面以及所述第二侧壁； 栅极结构，位于所述第一沟槽内；所述栅极结构包括绝缘层和栅电极，所述绝缘层用于绝缘间隔所述栅电极和所述半导体本体，所述耐压层的绝缘性能优于所述绝缘层，所述耐压层用于降低所述栅极结构底部的峰值电场； 源极，位于所述第一表面； 漏极，位于所述第二表面。

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