中国人民解放军国防科技大学池雅庆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种倒装芯片单粒子试验散热系统及散热方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411101513.1，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权一种倒装芯片单粒子试验散热系统及散热方法是由池雅庆;梁斌;陈建军;罗登;郭阳设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装芯片单粒子试验散热系统及散热方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装芯片单粒子试验散热系统及散热方法，该系统包括散热器、半导体制冷片、石墨烯膜及绝缘垫片，散热器采用中间镂空的结构形式，其镂空的区域可完全暴露裸片衬底，散热器的底部通过导热胶贴合半导体制冷片的热端；半导体制冷片采用中间镂空的结构形式，其镂空区域可完全暴露裸片衬底；石墨烯膜的表面可完全覆盖半导体制冷片的表面且无镂空；石墨烯膜的一面通过导热胶贴合于半导体制冷片的冷端，另一面直接覆盖于倒装芯片的裸片衬底和绝缘垫片上。该方法基于上述系统来实施。本发明具有结构简单紧凑、操作简便、散热效果好、成本低廉等优点。
本发明授权一种倒装芯片单粒子试验散热系统及散热方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装芯片单粒子试验散热系统，其特征在于，包括散热器1、半导体制冷片2、石墨烯膜3及绝缘垫片7，所述散热器1采用中间镂空的结构形式，其镂空的区域可完全暴露裸片衬底100，所述散热器1的底部通过导热胶6贴合半导体制冷片2的热端；所述半导体制冷片2采用中间镂空的结构形式，其镂空区域可完全暴露裸片衬底100；所述石墨烯膜3的表面可完全覆盖半导体制冷片2的表面且无镂空；所述石墨烯膜3的一面通过导热胶6贴合于所述半导体制冷片2的冷端，另一面直接覆盖于倒装芯片的裸片衬底100和绝缘垫片7上；所述绝缘垫片7采用中间镂空的结构形式，镂空区域可完全暴露裸片衬底100；述绝缘垫片7放置于倒装芯片的基板600上，其镂空区域露出倒装芯片的裸片衬底100；所述绝缘垫片7接触石墨烯膜3的另一面。
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