华东理工大学;上海泽丰半导体科技有限公司郭旭虹获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学;上海泽丰半导体科技有限公司申请的专利一种负性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法、光刻胶组合物和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119119472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411377637.2，技术领域涉及：C08G73/10；该发明授权一种负性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法、光刻胶组合物和用途是由郭旭虹;王杰;任佳佳;王义明;李莉;陶克文;罗雄科;李永彪设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法、光刻胶组合物和用途在说明书摘要公布了：本发明提供一种负性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法，以及包含负性光敏聚酰亚胺树脂的光刻胶组合物及其应用。所述负性光敏聚酰亚胺树脂依次通过二酐单体和二胺单体的聚合反应，在溶剂存在下经脱水剂和催化剂的脱水亚胺化反应，最后加入光敏性叔胺反应得到。所述光刻胶组合物包含本发明的负性光敏聚酰亚胺树脂、交联剂、光敏剂、光引发剂和溶剂。本发明的光刻胶组合物具备低温固化特性，并具备良好铜粘附力，可以广泛应用在半导体先进封装领域。
本发明授权一种负性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法、光刻胶组合物和用途在权利要求书中公布了：1.一种负性光敏聚酰亚胺树脂，其特征在于，所述负性光敏聚酰亚胺树脂具有式I所示的结构： 其中，Ar1为四价的含两个苯环的基团； Ar2为二价的含两个或两个以上苯环和一个或多个醚键的基团； R选自 x＝S1659S1500TS1659S1500T’，x为0.78～0.91； 其中S1659S1500T为负性光敏聚酰亚胺树脂的红外光谱图在1659cm-1处的特征峰面积与1500cm-1处的特征峰面积之比，S1659S1500T’为聚合物在经过脱水剂和催化剂处理后的红外谱图在1659cm-1处的特征峰面积与1500cm-1处的特征峰面积之比； n＝MwMr，n为300～1300； 其中Mw为聚合物使用渗透凝胶色谱法所得到的重均分子量，Mr为聚合物重复单元的相对分子质量。
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