惠科股份有限公司刘浪获国家专利权
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龙图腾网获悉惠科股份有限公司申请的专利阵列基板的制备方法、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119024598B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411214910.X,技术领域涉及:G02F1/1337;该发明授权阵列基板的制备方法、显示面板及显示装置是由刘浪;刘雨婷;刘丁;文科林;李肖;张正涛;徐培设计研发完成,并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板的制备方法、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了:本申请属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板的制备方法、显示面板及显示装置,阵列基板侧设置与支撑柱对应的凹槽,凹槽内填充有光活性剂,光活性剂能够在光照作用下与液晶层中的反应件发生反应而产生具有配向力的补充配向膜;当阵列基板侧的配向膜因支撑柱的摩擦而被划伤时,此位于凹槽内的光活性剂显露出,并在光照作用下使光活性剂与液晶层中的反应件发生反应,产生能够对液晶分子进行配向的补充配向膜,利用此补充配向膜对液晶分子进行补充配向,不会使得在配向膜划伤处的液晶分子发生紊乱,保证配向膜划伤处的液晶分子有序排列,改善红蓝斑不良等问题,进而提高显示面板和显示装置的显示效果。
本发明授权阵列基板的制备方法、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 在衬底基板上形成第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化处理,以形成栅极; 在所述衬底基板上依次形成栅绝缘层和半导体层,所述栅绝缘层覆盖所述栅极; 在所述栅绝缘层和所述半导体层上沉积第二金属层,并对所述第二金属层进行图案化处理,以形成相互间隔设置的第一极和第二极,所述第一极和所述第二极分别搭接于所述半导体层的相对两侧; 在所述栅绝缘层和所述半导体层上形成钝化层,所述钝化层覆盖所述第一极和第二极; 在所述钝化层上沉积平坦层,并对所述平坦层进行图案化处理,以形成凹槽和通孔,所述通孔露出所述第一极的部分; 在所述平坦层上形成像素电极,所述像素电极通过所述通孔与所述第一极连接; 在所述平坦层上涂布光引发剂; 对位于所述凹槽外的所述光引发剂进行光处理,以使位于所述凹槽外的所述光引发剂失去活性; 涂布配向膜,所述配向膜遮盖所述平坦层上的所述光引发剂; 其中,所述光引发剂被配置为在所述配向膜被划伤而露出时,能够在光照作用下与液晶层中的反应件发生反应,形成对液晶分子具有配向力的补充配向膜。
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