江南大学张金方获国家专利权
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龙图腾网获悉江南大学申请的专利一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118955917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410862604.0，技术领域涉及：C08G83/00；该发明授权一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+中的应用是由张金方;陶星瑜设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+2+中的应用，首次基于4,4’‑2,7‑二叔丁基‑9H‑芴‑9‑基亚甲基二吡啶功能配体制备得到了发光金属‑有机框架晶体材料[Cd33L22NDA33H22O22·L]nn，方法简单，合成路线简单易控，产物产率可达42.3％，适合工业化生产。且相较于现有技术，该材料能够首次发光增强检测Hg2+2+，灵敏度极高，其发光增强检测水相Hg2+2+的淬灭常数高达‑2.12×1044M‑1‑1，检测极限低至3.51×10‑7‑7M，具有广阔的应用前景。
本发明授权一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+中的应用在权利要求书中公布了：1.一种基于芴环配体的晶体材料，其特征在于：所述晶体材料的化学式为[Cd3L2NDA3H2O2·L]n， 其中，L为芴环配体，NDA2-为1,4-萘二甲酸根阴离子配体，n为任意值； 其中，所述芴环配体的结构式如式I所示： 所述晶体材料的晶系为三斜；空间群为P-1；晶胞参数为α＝109.9424°，β＝93.6383°，γ＝100.0644°，Z＝2。
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