北京科技大学施耐克获国家专利权
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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利一种低热膨胀双相陶瓷及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118290156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410388210.6,技术领域涉及:C04B35/565;该发明授权一种低热膨胀双相陶瓷及制备方法是由施耐克;燕旭阳;陈骏;周畅;唐明学;徐萌设计研发完成,并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低热膨胀双相陶瓷及制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种低热膨胀双相陶瓷及制备方法,属于陶瓷材料领域。所述双相陶瓷包括负热膨胀相和正热膨胀相;所述正热膨胀相边缘具有隔绝层;所述正热膨胀相占双相陶瓷体积百分比为50%~85%;所述负热膨胀相越靠近正热膨胀相,平均晶粒尺寸越小。通过对负热膨胀相和正热膨胀相的晶粒按照一定的规律设置,并设置有隔绝层,制备出能够工程化应用,且正热膨胀相占50%以上不会产生裂纹的低热膨胀双相陶瓷。
本发明授权一种低热膨胀双相陶瓷及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低热膨胀双相陶瓷,其特征在于, 所述双相陶瓷包括负热膨胀相和正热膨胀相; 所述正热膨胀相边缘具有隔绝层; 所述正热膨胀相占双相陶瓷体积百分比为50%~85%; 所述负热膨胀相越靠近正热膨胀相,平均晶粒尺寸越小; 所述低热膨胀双相陶瓷的制备方法包括如下步骤: 制备负热膨胀陶瓷粉末和具有隔绝层包覆的正热膨胀陶瓷粉末; 基于正热膨胀陶瓷粉末的平均粒径,选定第一预设平均粒径的负热膨胀陶瓷粉末与所述正热膨胀陶瓷粉末进行混料,混合后进行预烧结,烧结完成后振碎; 按照配比,将第二预设平均粒径的负热膨胀陶瓷粉末与振碎后的预烧结粉末混料并进行烧结,即得; 所述第二预设平均粒径大于第一预设平均粒径; 所述第一预设平均粒径r的计算方法如下: ; 其中,为修正系数,r1为正热膨胀陶瓷粉末的平均粒径,r0为参考粒径; 且所述第一预设平均粒径的粉末D50D10不大于5; 所述烧结采用放电等离子烧结,烧结过程中的压力为30MPa~80MPa; 所述隔绝层为难以与负热膨胀相和正热膨胀相发生反应的惰性物质制备而成,所述隔绝层的厚度不超过200nm。
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