成都理工大学;惠州学院赖元明获国家专利权
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龙图腾网获悉成都理工大学;惠州学院申请的专利一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118206364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410216681.9，技术领域涉及：C04B35/14；该发明授权一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料及其制备方法是由赖元明;张林侨;龚伟平;刘枫;向评文;廖星月;谢明军设计研发完成，并于2024-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料，属于微波电子陶瓷材料及其制造领域，该材料的化学组成为：[Mg0.40.4Zn0.40.4Ni1212Co12120.8‑x0.8‑xLi0.4+x0.4+x]SiO44，其中，0≤x≤0.8，本发明还公开了上述材料的制备方法，包括称量、球磨、烘料、煅烧、二次球磨、烘料、造粒、成型、排胶及烧结等步骤；本发明提供的微波介质材料，具有低的介电常数4.86～6.50以及低烧结温度925℃，在新一代移动通信及LTCC低温共烧领域具有较高的应用前景。
本发明授权一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料的制备方法，用于制备化学组成为：[Mg0.4Zn0.4Ni12Co120.8-xLi0.4+x]SiO4，其中，0≤x＜0.8的低烧结温度的双相高熵硅酸盐系微波介电材料，其特征在于，包括下述步骤： 1根据[Mg0.4Zn0.4Ni12Co120.8-xLi0.4+x]SiO4配比，对原料MgO、ZnO、NiCO3、CoCO3、Li2CO3和SiO2进行称量、一次球磨、烘料处理，得到均混后烘干粉料； 2将均混后烘干粉料进行磨碎，通过预烧后得到预烧料； 3对预烧料进行二次球磨处理，球磨后烘干备用； 4将二次球磨后的粉料与粘结剂溶液混合后造粒，并压制成型； 5对压制成型后的样品进行排胶处理得到生坯，然后将生坯进行烧结得到所需的材料。
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