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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利输出检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118191391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211607770.3，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权输出检测电路是由木村宏之设计研发完成，并于2022-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本输出检测电路在说明书摘要公布了：本发明的输出电流检测电路具备：正镜像FET，流动与输出FET的正负方向的电流中的正方向的电流成比例的正镜像电流；第1运算放大器，在一端接收定电压，且在另一端接收所述正镜像FET的所述正镜像电流中的上游侧电压，通过将输出电压转换为电流并反馈给所述另一端，而输出与所述正镜像FET的所述正镜像电流中的上游侧电压对应的电压；负镜像FET，流动与所述输出FET的所述正负方向的电流中的负方向的电流成比例的负镜像电流；及第2运算放大器，在一端接收定电压，且在另一端接收所述负镜像FET的所述负镜像电流中的上游侧电压，通过将输出电压转换为电流并反馈给另一端，而输出与所述负镜像FET的所述负镜像电流中的上游侧电压对应的电压；且根据将对应于所述第1运算放大器的输出的正输出电流、与对应于所述第2运算放大器的输出的负输出电流相加而得的输出电流来输出检测值。

本发明授权输出检测电路在权利要求书中公布了：1.一种输出电流检测电路，针对输出正负方向的电流的输出FET，具备： 正镜像FET，流动与所述输出FET的所述正负方向的电流中的正方向的电流成比例的正镜像电流； 第1运算放大器，在负输入端电连接所述输出FET的漏极，在正输入端接收所述正镜像FET的所述正镜像电流中的上游侧电压，通过将输出电压转换为电流并反馈给所述正输入端，而输出与所述正镜像FET的所述正镜像电流中的上游侧电压对应的电压； 负镜像FET，流动与所述输出FET的所述正负方向的电流中的负方向的电流成比例的负镜像电流；及 第2运算放大器，在负输入端接地并电连接所述输出FET的源极，在正输入端接收所述负镜像FET的所述负镜像电流中的上游侧电压，通过将输出电压转换为电流并反馈给所述正输入端，而输出与所述负镜像FET的所述负镜像电流中的上游侧电压对应的电压； 第一FET，所述第一FET的栅极共通连接于所述输出FET的栅极、所述正镜像FET的栅极、及所述负镜像FET的栅极，其中所述第1运算放大器的所述负输入端经由所述第一FET电连接所述输出FET的所述漏极，且 根据将对应于所述第1运算放大器的输出的正输出电流、与对应于所述第2运算放大器的输出的负输出电流相加而得的输出电流来输出检测值。

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