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龙图腾网获悉深水海纳水务集团股份有限公司申请的专利多孔介质板的制备方法、等离子体装置及废水处理设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118125561B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410395213.2，技术领域涉及：C02F1/46；该发明授权多孔介质板的制备方法、等离子体装置及废水处理设备是由张庆硕;林娜;欧阳清华;肖习羽;黄雷;张彬彬;王胜凡;肖吉成设计研发完成，并于2024-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本多孔介质板的制备方法、等离子体装置及废水处理设备在说明书摘要公布了：本申请涉及废水处理技术领域，特别涉及一种多孔介质板的制备方法、等离子体装置及废水处理设备。本申请将氧化铝板浸渍于具有二氧化硅的第一溶胶中，获得负载有二氧化硅涂层的氧化铝板。二氧化硅涂层具有较大的比表面积且涂层表面存在羟基基团，羟基基团可以和低寿命的活性物质结合或吸附，增强了低寿命活性物质的保留时间，提高了低寿命活性物质的浓度和利用率。由于二氧化硅涂层羟基基团的存在及较大的比表面积，使得二氧化硅涂层具有较强的吸附能力，因而吸附在介质板表面的活性物质增多，进而提升了活性物质与全氟化合物的反应速率，使得全氟化合物降解的更完全。二氧化硅具有良好的介电性能，可以增强介质板的介电常数和电阻率，对等离子体的产生和传输起到积极的作用。

本发明授权多孔介质板的制备方法、等离子体装置及废水处理设备在权利要求书中公布了：1.一种废水处理设备，其特征在于，包括：第一等离子体反应部分、第二等离子体反应部分和辐照反应部分，所述第一等离子体反应部分和所述第二等离子体反应部分均设置有等离子体装置； 所述辐照反应部分包括电子束辐照装置和辐照反应装置，所述辐照反应装置设置于所述电子束辐照装置的辐照区域； 所述第一等离子体反应部分还包括第一通道，所述第一通道一端与所述第一等离子体反应部分的等离子体装置连通，另一端与所述辐照反应装置连通； 所述辐照反应部分还包括第二通道，所述第二通道一端与所述辐照反应装置连通，另一端与所述第二等离子体反应部分的等离子体装置连通； 所述第二等离子体反应部分还包括第三通道，所述第三通道一端与所述第二等离子体反应部分的等离子体装置连通，另一端与所述辐照反应装置连通； 所述等离子体装置包括多孔介质板、高压电极和低压电极，所述多孔介质板具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述高压电极连接，所述第二表面与所述低压电极连接；所述第一表面包括等离子体区域；所述多孔介质板开设有贯穿所述第一表面和所述第二表面的孔道，所述孔道用于将所述等离子体区域的等离子体气泡化； 所述多孔介质板的制备方法包括：将四乙氧基硅烷、水、乙醇和氨气混合均匀形成碱溶胶；将四乙氧基硅烷、水、乙醇和氯化氢混合均匀形成酸溶胶，将所述酸溶胶与所述碱溶胶混合，获得具有二氧化硅的第一溶胶；提供氧化铝板，将所述氧化铝板浸渍于所述具有二氧化硅的第一溶胶，获得负载有二氧化硅涂层的氧化铝板；将所述负载有二氧化硅涂层的氧化铝板置于激光下，所述激光用于形成贯穿所述负载有二氧化硅涂层的氧化铝板的孔道，获得多孔介质板。

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