山东大学王善朋获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于二维LiInP2Se6的光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117936625B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410107878.9，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种基于二维LiInP2Se6的光电探测器及制备方法是由王善朋;孙蓝静;马超;陶绪堂设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维LiInP2Se6的光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：一种二维LiInP22Se66光电探测器及制备方法，该光电探测器以二维材料LiInP22Se66作为沟道材料，并采用硅作为衬底，SiO22作为介质层，通过在两侧金属电极上施加偏压进行光电性能测试；其制备方法包括以下步骤：1将LiInP22Se66纳米薄膜转移到硅衬底上；2将硅衬底表面均匀旋涂光刻胶，制备底电极的图形；3对底电极的图形进行定位曝光，然后进行显影,暴露出需要蒸镀电极部分；4制备金属电极。本发明利用LiInP22Se66作为沟道材料，制备光电探测器，实现高探测率和宽波段响应的光电探测器。
本发明授权一种基于二维LiInP2Se6的光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种二维LiInP2Se6光电探测器，其特征是，自下至上包括Si衬底、SiO2介质层、LiInP2Se6纳米薄膜，LiInP2Se6纳米薄膜上设置有金属电极，以二维材料LiInP2Se6作为沟道材料，并采用硅作为衬底，SiO2作为介质层，对金属电极施加偏压，实现高性能光电探测。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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