北京理工大学范绪阁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种悬浮二维薄膜的制备方法及其在纳机电气压传感器上的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117720102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311729735.3，技术领域涉及：C01B32/186；该发明授权一种悬浮二维薄膜的制备方法及其在纳机电气压传感器上的应用是由范绪阁;丁洁;葛庚午;何昶设计研发完成，并于2023-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种悬浮二维薄膜的制备方法及其在纳机电气压传感器上的应用在说明书摘要公布了：一种悬浮二维薄膜的制备方法及其在纳机电气压传感器上的应用，所述的制备方法在所涉及的气压传感器中，悬浮二维材料或悬浮二维异质层作为敏感薄膜使用。悬浮二维材料或二维异质层覆盖在氧化的硅基底的空腔上，电极与悬浮二维材料及异质层相连接，当外在气压发生变化例如气压减小时，悬浮二维材料或二维异质层会发生相应的形变例如向空腔反方向形变，根据二维材料压阻效应，悬浮二维材料或二维异质层的电阻发生变化，检测相应的变化即可相应地检测到外在气压的变化。
本发明授权一种悬浮二维薄膜的制备方法及其在纳机电气压传感器上的应用在权利要求书中公布了：1.一种悬浮二维薄膜的制备方法，其特征在于，所述悬浮二维薄膜的制备方法是：悬浮二维薄膜以氧化的硅作为衬底，在硅衬底的正面制备电极后，先将二维材料及二维材料异质层与未刻蚀的硅基底进行集成来提升转移后二维材料与二维材料异质层的质量，然后再对二维材料与二维材料异质层进行图案化刻蚀，进而保证转移后的二维材料及二维材料异质层的良率，再利用牺牲层刻蚀技术，实现二维材料及二维材料异质层下面的硅基底的刻蚀，形成空腔，进而释放二维材料及二维材料异质层，得到高质量与高良率的悬空密封二维薄膜。
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